一种用于数据缓存的Flash控制器、缓存方法及芯片技术

本发明专利技术实施例公开了一种用于数据缓存的Flash控制器、缓存方法及芯片。该Flash控制器包括：缓存区以及存储介质控制逻辑电路；其中：缓存区中设置有多个缓存策略；存储介质控制逻辑电路与处理器连接，用于接收处理器对Flash控制器中目标地址的数据访问信号；存储介质控制逻辑电路与缓存区连接，用于根据数据访问信号中的目标地址，在缓存区中确定对应的目标缓存策略；存储介质控制逻辑电路与Flash存储介质连接，用于在Flash存储介质中读取数据，根据目标缓存策略触发缓存区的数据缓存，并将与目标地址对应的目标数据返回处理器，通过多缓存策略可在多场景下提升处理器在Flash的数据读取速率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及数据处理，尤其涉及一种用于数据缓存的flash控制器、缓存方法及芯片。

技术介绍

1、闪存(flash)是微控制单元(microcontroller unit，mcu)的重要组成部分，负责存储代码和数据。在汽车电子行业，flash是非常重要的组件，尤其是对于汽车控制器来说，flash中的代码和数据保证了每次汽车上电之后，控制器行为符合用户预期。

2、汽车上电后，处理器(如cpu)会将关键的代码拷贝到mcu的静态随机存取存储器(static random-access memory，sram)中。其中，sram访问的速度比flash快，可提高执行速度。剩余的大部分代码和数据，在cpu执行的过程中，由cpu从flash中读取。

3、但是，现有技术中的缓存策略单一，例如，仅在cpu读取flash数据的时候，多读取一些数据，将读出的数据放到flash控制器的数据缓存中。该单一缓存策略仅能在通用场景下提升cpu在flash中的数据读取速率。对于特定场景下的数据读取，现有缓存策略难以达到提升cpu在flash中的数据读取速率的效果本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于数据缓存的Flash控制器，其特征在于，所述Flash控制器包括：缓存区以及存储介质控制逻辑电路；其中：

2.根据权利要求1所述的Flash控制器，其特征在于，还包括：缓存策略执行逻辑电路；缓存策略执行逻辑电路与存储介质控制逻辑电路连接；

3.根据权利要求2所述的Flash控制器，其特征在于，

4.根据权利要求2所述的Flash控制器，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的Flash控制器，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的Flash控制器，其特征在于，

7.根据权利要求2所述的Flash控制器，其特...

【技术特征摘要】

1.一种用于数据缓存的flash控制器，其特征在于，所述flash控制器包括：缓存区以及存储介质控制逻辑电路；其中：

2.根据权利要求1所述的flash控制器，其特征在于，还包括：缓存策略执行逻辑电路；缓存策略执行逻辑电路与存储介质控制逻辑电路连接；

3.根据权利要求2所述的flash控制器，其特征在于，

4.根据权利要求2所述的flash控制器，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的flash控制器，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的flash控制器，...

【专利技术属性】
技术研发人员：芦蓉，王庆林，
申请(专利权)人：紫光同芯微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：