半导体封装结构、基板、器件以及制造方法技术

一种半导体封装结构、基板、器件以及制造方法，涉及半导体器件技术领域，半导体封装结构包括：重布线层与预制凸块；重布线层在靠近预制凸块的表面上形成有钝化层；预制凸块形成在钝化层上，预制凸块具有靠近钝化层的凸块底座以及远离钝化层的凸块尖端；预制凸块的深宽比为1:1～5:1；重布线层的金属层与预制凸块连接；其中，凸块尖端通过在玻璃衬底上的盲孔上填充导电材料形成，盲孔具有预设深宽比。通过在重布线层下形成预制凸块的封装结构，可以为重布线层提供支撑强度，具有预设深宽比的凸块尖端，可以适用于不同间距需求的封装，以满足未来高带宽、高密I/O器件封装互联的需求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件，具体涉及一种半导体封装结构、基板、器件以及制造方法。

技术介绍

1、硅通孔(tsv)转接板被广泛用于高端的2.5d先进封装中，实现集成电路(ic)芯片与印刷电路板(pcb)的高密度电互联。然而tsv转接板成本较高。先进封装领域需要一种能实现相同作用但无tsv转接板的低成本改良技术。2.5d的重布线层rdl转接板是不错的选择，但由于重布线层结构仅由聚合物和金属组成，厚度较薄较软，在玻璃载片去除后失去支撑容易出现翘曲问题，导致后续的光刻及植球工艺的不良。在载片上预制凸块/焊球(bump)可能是有效的解决办法。虽然在硅衬底载片上也可以制备预制bump，但是硅载片难以去除，且成本高昂。

2、此外，随着芯片的i/o密度增大，对窄间距bump的需求显著增加，相比于常见的柱状bump，锥状bump更易实现窄间距，且尖端结构更易于与封装基板键合。然而，在硅片上预制锥状bump难度较高。尽管基于硅不同晶面导致的各项异性的湿刻蚀速率可以制备出倒金字塔状bump，但该bump的深宽比完全由硅的晶体结构特性决定，无法改变。

3、对本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：重布线层(20)与预制凸块(10)；

2.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述重布线层(20)的金属垫(22)贯穿所述钝化层(21)与所述凸块底座(12)固定连接。

3.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述凸块底座(12)的靠近所述金属垫(22)的第一表面的面积大于所述金属垫(22)靠近所述预制凸块(10)的第二表面的面积。

4.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述凸块尖端(11)的宽度小于所述凸块底座(12)的宽度。

5.如权利要求1或4所述的半导体封装结...

【技术特征摘要】

1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：重布线层(20)与预制凸块(10)；

2.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述重布线层(20)的金属垫(22)贯穿所述钝化层(21)与所述凸块底座(12)固定连接。

3.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述凸块底座(12)的靠近所述金属垫(22)的第一表面的面积大于所述金属垫(22)靠近所述预制凸块(10)的第二表面的面积。

4.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述凸块尖端(11)的宽度小于所述凸块底座(12)的宽度。

5.如权利要求1或4所述的半导体封装结构，...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈峰，邹波，
申请(专利权)人：东莞锐信仪器有限公司，
类型：发明
国别省市：