【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种钯离子印迹聚合物pd2+-iip以及钯离子印迹聚合物传感器的制备方法,属于电化学合成领域。
技术介绍
1、温敏型离子印迹聚合物是一种新型智能吸附材料,具有分离方便、成本低、选择识别性能好等优点,且可以通过改变吸附温度影响其对多价金属离子的吸附性能,逐渐成为研究热点。以磁性微球为基质,引入生化黄腐植酸(fa)和温敏单体甲基丙烯酸二甲氨基乙酯(dmaema),以pd(ii)为模板离子,制备一种具有分离操作简单、选择性好、吸附容量高且具有温敏性的新型钯离子印迹聚合物,具备广阔的市场前景和价值。
技术实现思路
1、为解决上述问题,本专利技术采用以下的技术方案:
2、一种钯离子印迹聚合物pd2+-iip的制备方法,其中,包括以下步骤:
3、在三口烧瓶中放入40ml环己烷与2ml司班80,搅拌均匀形成油相,取1.0g丙烯酰胺am、1~5mmol温敏型功能单体甲基丙烯酸二甲氨基乙酯dmaema以及0.02~0.07mg四氯钯酸钠na2pdcl4、0.03g生化黄
...【技术保护点】
1.一种钯离子印迹聚合物Pd2+-IIP的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的一种钯离子印迹聚合物Pd2+-IIP的制备方法,其特征在于,所述KH-570偶联剂的用量为2.0 mL,四氯钯酸钠Na2PdCl4的用量为0.05 g,磁性微球Fe3O4/SiO2的用量为0.40 g,功能单体DMAEMA的用量为3 mmol,反应温度为40 ℃,反应时间为8h。
3.根据权利要求1所述的一种钯离子印迹聚合物Pd2+-IIP的制备方法,其特征在于,所述磁性微球Fe3O4/SiO2的制备方法如下:利用共沉淀法制备磁性Fe3O4,
...【技术特征摘要】
1.一种钯离子印迹聚合物pd2+-iip的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的一种钯离子印迹聚合物pd2+-iip的制备方法,其特征在于,所述kh-570偶联剂的用量为2.0 ml,四氯钯酸钠na2pdcl4的用量为0.05 g,磁性微球fe3o4/sio2的用量为0.40 g,功能单体dmaema的用量为3 mmol,反应温度为40 ℃,反应时间为8h。
3.根据权利要求1所述的一种钯离子印迹聚合物pd2+-iip的制备方法,其特征在于,所述磁性微球fe3o4/sio2的制备方法如下:利用共沉...
【专利技术属性】
技术研发人员:尚宏周,卢雨金,乔宁,刘丽华,孙晓然,韩利华,张雪鹏,孙影,
申请(专利权)人:华北理工大学,
类型:发明
国别省市:
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