一种螺旋碳纳米管/碳微米片多维集成材料及其制备方法和应用技术

本发明专利技术涉及新材料制备技术领域，且公开了一种螺旋碳纳米管/碳微米片多维集成材料及其制备方法和应用，多维集成材料具有一维线型结构、二维片状结构和三维螺旋结构的多维集成结构，一维线型结构来源于长度为1‑300微米的螺旋碳纳米管(CCNT)在宏观上形成的线型导电网络，二维片状结构来源于直接集成于螺旋碳纳米管(CCNT)上的碳微米片(CMS)，三维螺旋结构来自螺旋碳纳米管(CCNT)的微观形貌。本发明专利技术的“一维线‑二维片‑三维螺旋”集成吸波材料，通过化学气相沉积法对碳微米片的生长情况进行调控，从而优化了材料的阻抗匹配特性，丰富了吸波机制，实现轻质宽频吸波特性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及新材料制备，尤其涉及一种螺旋碳纳米管/碳微米片多维集成材料及其制备方法和应用。

技术介绍

1、随着高新技术，特别是通信技术的高速发展，各种各样的高频电子及电器设备给人们的生活带来了巨大的便利的同时，也带来一定的电磁污染。来自各种电子和电气设备的电磁能量的辐射，有可能对人的身体健康产生威胁。此外，在军事上，电磁辐射或反射容易导致己方的军事设备被敌方的雷达探知从而遭受打击。因此，无论是在民用还是军事上，都需要开发轻质高效的电磁波吸收材料。

2、碳纳米材料(如碳纳米管、石墨烯及螺旋碳纳米管)，由于其物理和化学性质稳定，电导率高，比表面积大等突出优点，有望成为极具应用前景的优异电磁波吸收材料。但是碳纳米材料过高的电导率，单一的损耗机制严重限制了其实际应用，特别是过强的反射特性使得入射电磁波很难进入材料内部，因此很难被耗散。为解决上述问题，通常采用两种策略：一是与磁性颗粒，如铁、钴、镍及其化合物复合，引入磁损耗，并提升材料阻抗匹配特性。但是，磁性颗粒本身密度较大，会使得碳材料/磁性颗粒复合材料无法满足日益提高的轻量化需求。另一策略是合理设计本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种螺旋碳纳米管/碳微米片多维集成材料，其特征在于，以螺旋碳纳米管(CCNT)为基本载体，具有一维线型结构、二维片状结构和三维螺旋结构的多维集成结构；

2.一种螺旋碳纳米管/碳微米片多维集成材料的制备方法，其特征在于，包括权利要求1所述的螺旋碳纳米管/碳微米片多维集成材料，具体分为以下制备步骤：

3.根据权利要求2所述的螺旋碳纳米管/碳微米片多维集成材料的制备方法，其特征在于：所述第一步中溶剂热法或水热法反应的温度为20～200℃，反应时间为2～30h。

4.根据权利要求2所述的螺旋碳纳米管/碳微米片多维集成材料的制备方法，其特征在于：所述第一步中...

【技术特征摘要】

1.一种螺旋碳纳米管/碳微米片多维集成材料，其特征在于，以螺旋碳纳米管(ccnt)为基本载体，具有一维线型结构、二维片状结构和三维螺旋结构的多维集成结构；

2.一种螺旋碳纳米管/碳微米片多维集成材料的制备方法，其特征在于，包括权利要求1所述的螺旋碳纳米管/碳微米片多维集成材料，具体分为以下制备步骤：

3.根据权利要求2所述的螺旋碳纳米管/碳微米片多维集成材料的制备方法，其特征在于：所述第一步中溶剂热法或水热法反应的温度为20～200℃，反应时间为2～30h。

4.根据权利要求2所述的螺旋碳纳米管/碳微米片多维集成材料的制备方法，其特征在于：所述第一步中的物理气相沉积法包括磁控溅射法、热蒸发法、电子束蒸发法和原子层沉积法中的任意一种。

5.根据权利要求4所述的螺旋碳纳米管/碳微米片多维集成材料的制备方法，其特征在于：所述磁控溅射法的溅射功率为10～100w，溅射时长1～100s。...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘路军，孙琛，姜天明，
申请(专利权)人：大连理工大学，
类型：发明
国别省市：