一种化学沉淀及雾化造粒辅助合成非晶氧化硅包覆镍粉的方法技术

一种化学沉淀及雾化造粒辅助合成非晶氧化硅包覆镍粉的方法，属于材料制备技术领域。首先，以硅酸盐为Si源，无机酸为沉淀剂，制备硅胶胶体，与纳米/亚微米Ni粉混合后制备胶体与Ni粉的混合液；其次，采用喷雾干燥法合成出硅胶包覆Ni粉中间体；最后，烧结后分解形成氧化硅包覆Ni粉；所制备的粉体材料为球形颗粒，其中核为Ni粒子、壳为非晶态二氧化硅。通过调整原料配比、分散剂含量、以及喷雾干燥过程的进风口温度、进料速度等工艺参数，实现对粉体的微观结构、颗粒尺寸分布、以及相关性能的调控。本发明专利技术发明专利技术技术工艺简单，制备成本低，生产效率高，包覆效果好，有效解决了纯Ni粉电极层易氧化、与介质陶瓷层烧结时体积收缩不匹配、界面的互渗与反应等问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于金属粉体材料制备，涉及一种化学沉淀及雾化造粒辅助合成非晶氧化硅包覆镍粉的方法，制备得到的金属粉体具有较好的抗氧化性能和烧结性能。

技术介绍

1、多层片式陶瓷电容器(mlcc，multilayer ceramic capacitors)是由印制电极(内电极)的陶瓷介质膜片以错位方式叠合而成，经过一次性高温烧结形成陶瓷芯片，再在芯片两端封上金属层(外电极)，从而形成类似独石的结构体，因此也称为独石电容器。mlcc是电子设备中最常见且使用最广泛的电子元件之一，广泛应用于旁路、滤波、调谐回路、隔直、耦合、能量转换、控制电路等各种电路，产量约占电子元器件总量的40％以上，在信息、军工、移动通讯、电子电器、航空、石油勘探等行业有着巨大的应用价值，推动了电子元器件的小型化、高性能、高可靠性和低电耗的研究。已成为我国电子信息元件中的重要电子控制元件。最初，为了在空气中进行高温烧结，mlcc、mlvc和ptcr等元件使用纯铂(pt)或纯钯(pd)作为内电极，因为它们在高温下不易氧化且性能稳定。然而，随着电子工业的发展，电子元件对更高性能的需求不断提升，多层片式本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种化学沉淀及雾化造粒辅助合成非晶氧化硅包覆镍粉，其特征在于，所述的非晶氧化硅包覆镍粉Ni@SiO2，其颗粒为核/壳微观结构，其中，核为金属Ni，壳为氧化硅包覆层。

2.根据权利要求1所述的一种化学沉淀及雾化造粒辅助合成非晶氧化硅包覆镍粉，其特征在于，所述的非晶氧化硅包覆镍粉颗粒的粒径在80～150nm之间。

3.一种权利要求1或2所述的化学沉淀及雾化造粒辅助合成非晶氧化硅包覆镍粉的方法，其特征在于，所述的方法首先，以硅酸盐为Si源，无机酸为沉淀剂，制备硅胶胶体，与纳米/亚微米Ni粉混合后制备胶体与Ni粉的混合液；其次，基于得到的混合液采用喷雾干燥法合成出硅胶...

【技术特征摘要】

1.一种化学沉淀及雾化造粒辅助合成非晶氧化硅包覆镍粉，其特征在于，所述的非晶氧化硅包覆镍粉ni@sio2，其颗粒为核/壳微观结构，其中，核为金属ni，壳为氧化硅包覆层。

2.根据权利要求1所述的一种化学沉淀及雾化造粒辅助合成非晶氧化硅包覆镍粉，其特征在于，所述的非晶氧化硅包覆镍粉颗粒的粒径在80～150nm之间。

3.一种权利要求1或2所述的化学沉淀及雾化造粒辅助合成非晶氧化硅包覆镍粉的方法，其特征在于，所述的方法首先，以硅酸盐为si源，无机酸为沉淀剂，制备硅胶胶体，与纳米/亚微米ni粉混合后制备胶体与ni粉的混合液；其次，基于得到的混合液采用喷雾干燥法合成出硅胶包覆ni粉中间体；最后，经洗涤、过滤，在管式炉烧结后分解形成氧化硅包覆ni粉。

4.根据权利要求3所述的一种化学沉淀及雾化造粒辅助合成非晶氧化硅包覆镍粉的方法，其特征在于，包括以下步骤：

5.根据权利要求4所述的一种化学沉淀及雾化造粒辅助合成非晶氧化硅包覆镍粉的方法，其特征在于，通过控制硅酸盐与原料的比例、无机酸的浓度、分散剂的种类与添加量以及喷雾干燥工艺相关参数调控颗粒的核/壳...

【专利技术属性】
技术研发人员：董星龙，魏光泷，
申请(专利权)人：大连理工大学，
类型：发明
国别省市：