探针充氘系统及充氘方法技术方案

技术编号:43330440 阅读:16 留言:0更新日期:2024-11-15 20:28
本发明专利技术属于检测技术领域,尤其涉及一种探针充氘系统及充氘方法。本发明专利技术所采用技术方案如下:一种探针充氘系统,包括第一腔室和第二腔室,还包括:安装台,用于安装探针;传样杆,带动所述安装台在第一腔室和第二腔室内移动,并且所述安装台位于第二腔室时,所述安装台将第一腔室和第二腔室隔离;氘气发生装置,使探针在第二腔室中处于氘环境中,以使探针充氘;急冻组件,位于所述第一腔室内,用于将充氘完成后的探针冻结;真空接口,用于使第一腔室处于负压状态。本发明专利技术通过急冻方式,将探针状态进行冻结,减少了整个制样及观测过程中氘的逸散,延长了探针的观测时间。利用安装台将第一腔室和第二腔室隔离,减少了充氘过程中氘气向第一腔室逸散。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于检测,尤其涉及一种探针充氘系统及充氘方法


技术介绍

1、随着近年来氢能的应用前景被看好,关于氢的“制、储、运、用”这几个方面的研究也在不断推进。在氢能的使用过程中,有个绕不开的技术难点-“氢脆”,是一种由于金属中氢成分引起的材料力学性能下降、塑性下降、开裂或损伤的现象。观察氢在金属材料中的分布及走向一直是研究氢脆的主要技术手段,同时也是技术难点。现有的技术很难制备可以确切观察氢在金属材料中分布及走向的样本(即我们常说的探针)。

2、现有技术的缺陷和不足:

3、1、现有的制样技术,很难区分金属内氢成分是在金属凝固的过程中,溶入其中的氢没能及时释放出来,或是后期储氢过程中渗透入金属内的氢成分。

4、2、现有的制样技术难以在样本内长时间保留氢,氢有很强的逸散性,在很短时间内,就会从金属样本中逃逸出去。


技术实现思路

1、为解决现有技术存在的难以在样本内长时间保留氢的缺陷,本专利技术提供探针充氘系统及充氘方法。

2、本专利技术所采用的技术方案如下:一种探本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种探针充氘系统,其特征在于,包括第一腔室(1)和第二腔室(2),还包括:

2.根据权利要求1所述的探针充氘系统,其特征在于,所述氘气发生装置包括设置在第二腔室(2)内的电解槽(7)和电极(8)。

3.根据权利要求2所述的探针充氘系统,其特征在于,所述的电解槽(7)呈锥形。

4.根据权利要求2或3所述的探针充氘系统,其特征在于,所述的探针(200)插入所述电解槽(7)液面以下时,所述电极(8)的负电极相比于正电极更靠近所述探针(200)设置。

5.根据权利要求2或3所述的探针充氘系统,其特征在于,所述的第二腔室(2)设置有与所述电解槽(...

【技术特征摘要】

1.一种探针充氘系统,其特征在于,包括第一腔室(1)和第二腔室(2),还包括:

2.根据权利要求1所述的探针充氘系统,其特征在于,所述氘气发生装置包括设置在第二腔室(2)内的电解槽(7)和电极(8)。

3.根据权利要求2所述的探针充氘系统,其特征在于,所述的电解槽(7)呈锥形。

4.根据权利要求2或3所述的探针充氘系统,其特征在于,所述的探针(200)插入所述电解槽(7)液面以下时,所述电极(8)的负电极相比于正电极更靠近所述探针(200)设置。

5.根据权利要求2或3所述的探针充氘系统,其特征在于,所述的第二腔室(2)设置有与所述电解槽(7)连通的重水注入口(9)。

6.根据权利要求1~3任一项所述的探针充氘系统,其特征在于,所述的第二腔室(2)设置有气体接口(10)和气体出口(11)。

7.根据权利要求1所述的探针充氘系统,其特征在于,所述的第一腔室(1)设置有通气接口(12)。

8.根据权利要求1或7所述的探针充氘系统,其特征在于,所述的第一腔室(1)设置有操作接口(13)。

9.根据权利要求1所述的探针充氘系统,其特征在于,所述的第一腔室(1)和第二腔室(2)连接处具有隔板(14),所述隔板(14)具有安装孔,所述安装孔与所述安装台(3)配合后将所述第一腔室(1)和第二腔室(2)隔离。

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【专利技术属性】
技术研发人员:杨奇峰孙敏书屠胜浩顾怡曹涛黄龙烜
申请(专利权)人:苏州华合检测科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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