半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术的目的在于提供能够提高短路耐量的半导体装置。本发明专利技术涉及的半导体装置具有：绝缘基板；第1电路图案、第2电路图案、第3电路图案及第4电路图案，它们设置于绝缘基板之上；半导体芯片及第1电极，它们设置于第1电路图案之上；第2电极，其设置于第2电路图案之上；第3电极，其设置于第3电路图案之上；以及第4电极，其设置于第4电路图案之上，在半导体芯片设置的焊盘与第2电路图案经由第1配线而连接，半导体芯片的表面与第3电路图案经由第2配线而连接，半导体芯片的表面与第4电路图案经由第3配线而连接，第2配线及第3配线以半导体芯片的表面为基准沿相同方向且平行地设置，第1配线与第3配线反向地设置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体装置。

技术介绍

1、当前，公开了在半导体装置的通断动作时，通过来自第1发射极配线的互感使第2发射极配线产生感应电动势的技术(例如，参照专利文献1)。

2、专利文献1：国际公开第2017/209191号

3、在专利文献1的技术中，通过来自第1发射极配线的互感，不仅第2发射极配线产生感应电动势，栅极配线也产生感应电动势。由栅极配线产生的感应电动势在将由第2发射极配线产生的感应电动势抵消的方向上起作用。因此，存在以下问题，即，抑制栅极电压的上升的效果减小，半导体装置的短路耐量下降。

技术实现思路

1、本专利技术就是为了解决上述问题而提出的，其目的在于提供能够提高短路耐量的半导体装置。

2、为了解决上述课题，本专利技术涉及的半导体装置具有：绝缘基板；第1电路图案、第2电路图案、第3电路图案及第4电路图案，它们设置于绝缘基板之上；半导体芯片及第1电极，它们设置于第1电路图案之上；第2电极，其设置于第2电路图案之上；第3电极，其设置于第3电路图案之上；以及第4电极，其设置于第4电路图案之上，在半导体芯片设置的焊盘与第2电路图案经由第1配线而连接，半导体芯片的表面与第3电路图案经由第2配线而连接，半导体芯片的表面与第4电路图案经由第3配线而连接，第2配线及第3配线以半导体芯片的表面为基准而沿相同方向且平行地设置，第1配线与第3配线反向地设置。

3、专利技术的效果

4、根据本专利技术，能够提高短路耐量。

【技术保护点】

1.一种半导体装置，其具有：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置，其具有：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

3.根据权利要求1或2所述的半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：汉那朝和，益田明宜，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：