【技术实现步骤摘要】
本专利技术针对于半导体装置及制造方法。
技术介绍
1、在过去的几十年中，半导体封装材料及工艺已经演进。各种方法涉及使用提供高热导率及结构支撑的核心材料作为半导体衬底的“核心”。举例来说，衬底可通过将铜箔接合到核心材料(例如氧化铝或氮化铝)而制成。最近，“无核心”衬底变得越来越流行。无核心衬底是一种类型的有机衬底；与具有核心的多层衬底相比，无核心衬底不具有核心层且允许在较低成本及较佳电性能下实现高水平的可布线性。
2、已经开发用于无核心衬底的各种方法，但其被证明是不充分的。认识到需要新的且经改进的无核心衬底及其制造工艺是重要的。
技术实现思路
1、在一个方面，本公开涉及一种半导体装置，其包括：电路，其包括第一多个电触点；及衬底，其耦合到所述电路，所述衬底由至少50mm的宽度表征，其中所述衬底包括：顶部层，其包括第二多个电触点及第一有机材料，所述第二多个电触点耦合到所述第一多个电触点；底部层，其包括第三多个电触点及第二有机材料；以及多个衬底层，其定位于所述顶部层与所述底部层之间，所...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述底部层包括球形栅格阵列BGA层。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述底部层包括焊垫栅格阵列LGA层。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述衬底不含有机核心材料。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述衬底包括无核心衬底。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述顶部层包括焊料掩模材料。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述多个衬底层包括玻璃纤维材料。
8.根据权利要求1所述的半...
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述底部层包括球形栅格阵列bga层。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述底部层包括焊垫栅格阵列lga层。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述衬底不含有机核心材料。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述衬底包括无核心衬底。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述顶部层包括焊料掩模材料。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述多个衬底层包括玻璃纤维材料。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述多个衬底层包括混合材料。
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述多个衬底层包括预浸复合材料。
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述衬底由少于20个层组成。
11.一种半导体封装，其包括：
【专利技术属性】
技术研发人员：曾国祥，王玺惟，黄文显，游家源，
申请(专利权)人：安华高科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。