半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体装置及其制造方法。本发明专利技术提供氧化物半导体膜的形状的偏差小且具有稳定的电特性的半导体装置。半导体装置包含：栅电极；栅电极之上的栅极绝缘层；栅极绝缘层之上的具有多晶结构的氧化物半导体层；氧化物半导体层之上的源电极及漏电极；和层间绝缘层，其覆盖源电极及漏电极并与氧化物半导体层接触，氧化物半导体层包含与源电极及漏电极中的1者重叠的第1区域、和与层间绝缘层接触的第2区域，第1区域的膜厚与第2区域的膜厚之差为1nm以下。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的一个实施方式涉及半导体装置。特别是，本专利技术的一个实施方式涉及使用氧化物半导体膜作为沟道的半导体装置。另外，本专利技术的一个实施方式涉及半导体装置的制造方法。

技术介绍

1、近年来，已经开发了使用氧化物半导体膜来代替使用了非晶硅、低温多晶硅和单晶硅等的硅半导体膜作为沟道的半导体装置(例如，参照专利文献1～6)。包含这样的氧化物半导体膜的半导体装置与包含非晶硅膜的半导体装置同样地具有简单的结构，可以通过低温工艺在玻璃基板上制造。另外，已知包含氧化物半导体膜的半导体装置具有比包含非晶硅膜的半导体装置高的场效应迁移率。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2021-141338号公报

5、专利文献2：日本特开2014-099601号公报

6、专利文献3：日本特开2021-153196号公报

7、专利文献4：日本特开2018-006730号公报

8、专利文献5：日本特开2016-184771号公报

9、专利文献6：日本特开2021-10本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，其包含：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述源电极及漏电极包含第1金属层，

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述源电极及漏电极还包括所述第1金属层之上的包含铜的第2金属层，

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述第1金属层包含钼。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述蚀刻液包含螯合剂。

6.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第1金属层的所述蚀刻速率为0.5nm/sec以上。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述源电极及漏电极还包括所述第1金...

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置，其包含：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述源电极及漏电极包含第1金属层，

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述源电极及漏电极还包括所述第1金属层之上的包含铜的第2金属层，

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述第1金属层包含钼。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述蚀刻液包含螯合剂。

6.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第1金属层的所述蚀刻速率为0.5nm/sec以上。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述源电极及漏电极还包括所述第1金属层之上的包含铜的第2金属层，

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述第1金属层包含钛。

9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述蚀刻液包含磷酸。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的半导体装置，其中，所述氧化物半导体层包含铟及所述铟以外的至少1种以上的金属元素，

11.一种半导体装...

【专利技术属性】
技术研发人员：渡壁创，津吹将志，佐佐木俊成，田丸尊也，望月真里奈，小野寺凉，渡部将弘，
申请(专利权)人：株式会社日本显示器，
类型：发明
国别省市：