毫米波低副瓣阵列天线制造技术

技术编号:43318216 阅读:72 留言:0更新日期:2024-11-15 20:19
本发明专利技术涉及一种毫米波低副瓣阵列天线,包括依次设置的第一介质基板、第二介质基板、用于设置耦合缝隙的第三介质基板、用于设置馈电网络的第四介质基板;第一介质基板用于设置辐射单元阵列,辐射单元阵列设置在第一介质基板上表面,辐射单元阵列由纵向不等间距排布的多个辐射单元组成,任一辐射单元上开有至少一个“T”型凹槽;第二介质基板上设置空腔,空腔贯穿第二介质基板,空腔设置位置与辐射单元一一对应。本发明专利技术通过上述设置,降低了阵列天线的副瓣电平,增加了天线的阻抗带宽,提高了天线阵元之间的隔离度,从而提高了天线的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及雷达天线,尤其涉及一种毫米波低副瓣阵列天线


技术介绍

1、近年来,在雷达、通信、遥感遥测和空间技术等领域,高灵敏度、宽频带、低剖面和低副瓣的高性能阵列天线由于具有多频段和低成本的特点得到了广泛的应用。目前常用的阵列天线主要有微带阵列天线和平板阵列天线这两种。

2、微带阵列天线具有剖面低、成本低、重量轻和易加工等特性,但是当频率升高或天线阵列规模变大时,微带阵列天线导体损耗和介质损耗导致其插损增大。由此,虽然微带阵列天线可以实现宽频带,但是其无法同时实现高频率、高效率和高增益。

3、随着对雷达抗干扰要求的提高与现代电子工业的发展,要求天线应具有低副瓣或极低副瓣的性能。穿透微带阵列天线主要包括的辐射贴片层、耦合缝隙层、馈电网络层,目前主要是通过调整馈电层的功率分配比例来调整辐射层能量分布从而降低副瓣,但是该方案在降低副瓣的同时总会造成主瓣变宽、增益下降,不能保证窄主瓣、不牺牲增益的同时获得极低的副瓣;

4、公开号为cn 207910068u的中国技术专利中公开了一种双极化相控阵天线,该天线包括极化馈线组件、耦本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种毫米波低副瓣阵列天线,其特征在于,包括依次设置的第一介质基板(102)、第二介质基板(103)、用于设置耦合缝隙的第三介质基板(105)、用于设置馈电电路网络(106)的第四介质基板(107);

2.根据权利要求1所述的毫米波低副瓣阵列天线,其特征在于,任一所述辐射单元(1011、1012、1013)上设置的所述“T”型凹槽的数量至少为一个,在任一所述辐射单元(1011、1012、1013)上设置的所述“T”型凹槽的数量为4个时,所述“T”型凹槽的排布方法为在所述辐射单元(1011、1012、1013)的上下左右边缘上对称排布。

3.根据权利要求1所述的毫...

【技术特征摘要】

1.一种毫米波低副瓣阵列天线,其特征在于,包括依次设置的第一介质基板(102)、第二介质基板(103)、用于设置耦合缝隙的第三介质基板(105)、用于设置馈电电路网络(106)的第四介质基板(107);

2.根据权利要求1所述的毫米波低副瓣阵列天线,其特征在于,任一所述辐射单元(1011、1012、1013)上设置的所述“t”型凹槽的数量至少为一个,在任一所述辐射单元(1011、1012、1013)上设置的所述“t”型凹槽的数量为4个时,所述“t”型凹槽的排布方法为在所述辐射单元(1011、1012、1013)的上下左右边缘上对称排布。

3.根据权利要求1所述的毫米波低副瓣阵列天线,其特征在于,

4.根据权利要求3所述的毫米波低副瓣阵列天线,其特征在于,所述第四介质基板(107)下表面贴有地板(108)。

5.根据权利要求4所述的毫米波低副瓣阵列天线,其特征在于,所述第三介质基板(105)、所述第四介质基板(107)和所述馈电电路网络(106)构成以所述缝隙基板(104)和所述地板(108)为参考地面的带状线馈电网络。

6.根据权利要求5所述的毫米波低副瓣阵列天线,其特征在于,设置在所述带状线馈电网络和所述耦合缝隙周围的多个金属孔(1...

【专利技术属性】
技术研发人员:金世超王静刘敦歌杨钰茜费春娇王辰宇孙家星梅辰钰周波黄俊刘立朋苏巾槐高峰张正谦
申请(专利权)人:航天恒星科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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