气体分离膜制造技术

一种气体分离膜，其包括以下层：(i)支撑体层；(ii)辨别层；(iii)附加层，其中，所述附加层包含式(1)的基团：M‑(O‑)x式(1)其中，各个M独立地为金属或类金属原子；O是氧原子；并且各个x的值独立地至少为4；以及(iv)任选的保护层；其中，(a)所述支撑体层(i)和所述附加层(iii)位于所述辨别层(ii)的相反侧上；并且(b)所述附加层(iii)包含1.5原子％至10原子％的式(1)基团的M，其中，M如上文所定义。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

技术介绍

技术实现思路

【技术保护点】

1.一种气体分离膜，其包括以下层：

2.如权利要求1所述的气体分离膜，其中，所述附加层(iii)不具有气体分离选择性，并且包含2原子％至9原子％的式(1)基团的M。

3.如权利要求1或2所述的气体分离膜，其中，所述辨别层(ii)包含大于10原子％且小于50原子％的式(1)基团的M。

4.如前述权利要求中任一项所述的气体分离膜，其中，所述附加层(iii)的平均厚度为1nm至1,500nm。

5.如前述权利要求中任一项所述的气体分离膜，其中，所述附加层(iii)的平均厚度为5nm至1,000nm。

6.如前述权利要求中任一项所述的气...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种气体分离膜，其包括以下层：

2.如权利要求1所述的气体分离膜，其中，所述附加层(iii)不具有气体分离选择性，并且包含2原子％至9原子％的式(1)基团的m。

3.如权利要求1或2所述的气体分离膜，其中，所述辨别层(ii)包含大于10原子％且小于50原子％的式(1)基团的m。

4.如前述权利要求中任一项所述的气体分离膜，其中，所述附加层(iii)的平均厚度为1nm至1,500nm。

5.如前述权利要求中任一项所述的气体分离膜，其中，所述附加层(iii)的平均厚度为5nm至1,000nm。

6.如前述权利要求中任一项所述的气体分离膜，其中，所述附加层(iii)的式(1)基团的m的原子％的平均值在其整个深度上基本恒定。

7.如前述权利要求中任一项所述的气体分离膜，其包括聚硅氧烷保护层(iv)。

8.如权利要求7所述的气体分离膜，其中，所述保护层(iv)的平均厚度为10nm至10,000nm。

9.一种用于形成前述权利要求中任一项所述的气体分离膜的方法，其包括以下步骤：

10.如权利要求9所述的方法，其中，步...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·A·斯塔罗斯京，E·A·M·弗米尔，
申请(专利权)人：富士胶片制造欧洲有限公司，
类型：发明
国别省市：