供电电路及源载系统技术方案

本申请公开了一种供电电路及源载系统，供电电路包括电源接口单元、第一电容和第二电容、NMOS管和PMOS管，电源接口单元包括外部电源输入端、第一接地端、第二接地端和电源输出端，第一电容的另一端分别连接NMOS管的漏极和PMOS管的漏极，NMOS管的源极连接第二接地端，PMOS管的源极分别连接第二电容的另一端和第一接地端；控制单元，控制单元控制NMOS管和PMOS管轮按照预设顺序轮流进入导通状态。可以作为不共地源载系统的供电电路，不会出现电压跌落的问题，并且体积小、价格低，并且没有引入高频磁件，不存在电磁干扰。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及源载系统领域，特别涉及一种供电电路及源载系统。

技术介绍

1、目前，在一些不共地源载系统中需要配置额外的供电电路，例如在源载系统的降压（buck）电路中存在串联的上mos（metal-oxide-semiconductor）管和下mos管，由于上mos管的参考地与下mos管的参考地不相同，参考图8所示，上mos管的参考地为gnd1，下mos管的参考地为gnd2，因此对于上mos管需要单独提供驱动电源。

2、相关技术中，一种方式是采用自举电容的方式来驱动上mos管，另一方式是通过隔离电源模块单独给上mos管驱动供电。然而采用自举电容方式的缺点在于：当pwm波在高占空比或极轻负载下工作时，自举电容可能在相当长的时间内不会再充电，自举电容两端的电压会到下降不足以驱动上mos管完全导通，存在电压跌落的问题；隔离电源模块的缺点在于价格贵，体积大，不适用于高功率密度的场合并且引入了高频磁件，会给源载系统内部带来电磁干扰。

技术实现思路

1、本申请提出一种供电电路及源载系统，不会出现电压跌落的问题，并本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种供电电路，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的供电电路，其特征在于，所述控制单元包括MCU和三极管，所述MCU上设置有第一PWM信号输出端和第二PWM信号输出端，所述第一PWM信号输出端连接所述NMOS管的栅极，所述第二PWM信号输出端连接所述三极管的基极，所述三极管的发射极连接所述第二接地端，所述三极管的集电极连接所述PMOS管的栅极，所述MCU通过第一PWM信号和第二PWM信号控制所述NMOS管和所述PMOS管按照预设顺序轮流进入导通状态。

3.根据权利要求2所述的供电电路，其特征在于，所述控制单元还包括第一电阻和第二电阻，所述NMOS管的栅极...

【技术特征摘要】

1.一种供电电路，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的供电电路，其特征在于，所述控制单元包括mcu和三极管，所述mcu上设置有第一pwm信号输出端和第二pwm信号输出端，所述第一pwm信号输出端连接所述nmos管的栅极，所述第二pwm信号输出端连接所述三极管的基极，所述三极管的发射极连接所述第二接地端，所述三极管的集电极连接所述pmos管的栅极，所述mcu通过第一pwm信号和第二pwm信号控制所述nmos管和所述pmos管按照预设顺序轮流进入导通状态。

3.根据权利要求2所述的供电电路，其特征在于，所述控制单元还包括第一电阻和第二电阻，所述nmos管的栅极通过所述第一电阻连接所述第二接地端；所述三极管的基极通过所述第二电阻连接所述第二接地端。

4.根据权利要求2所述的供电电路，其特征在于，还包括开关s1和第三电阻，所述pmos管的栅极通过依次连接的所述开关s1和所述第三电阻连接所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：湖南恩智测控技术有限公司，
类型：发明
国别省市：