一种用于去除半导体表面残胶的方法及其应用技术

本发明专利技术提供一种用于去除半导体表面残胶的方法及其应用。所述方法包括：S1：对具有残胶的半导体材料进行表面撕胶处理，包括在半导体材料表面覆设胶水层，所述胶水层至少覆盖残胶的位置，在所述胶水层干燥的状态下将所述胶水层撕去；S2：对经过S1处理的半导体材料进行刮擦处理；S3：将经过S2处理的半导体材料置于第一清洗剂中并使第一清洗剂没过半导体材料具有残胶的表面，从而对半导体材料进行清洗，获得表面基本洁净的半导体材料；S4：对经过S3处理的半导体材料进行退火处理，获得表面洁净的半导体材料。本发明专利技术提供的方法能够彻底清除半导体材料表面的残胶以及其他杂质，且不造成半导体材料的损伤。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体制造，具体涉及一种用于去除半导体表面残胶的方法及其应用。

技术介绍

1、自石墨烯、氮化硼、过渡金属二硫化物(tmds)等二维材料被开创性的发现并研究以来，二维材料机械解理技术作为能够通过非生长方式快速获得不同层数二维材料的方法，在最近十几年间被各大实验室推广及应用。在二维材料与半导体界面相关研究中，需要把机械解理后的二维材料通过转移装置转移到半导体表面。二维材料机械解理技术通常有两种方式，第一种方式是先用透明胶带或蓝膜胶带粘着需要解理的二维材料，多次对折撕开后将解理完成的二维材料贴合到半导体表面，用以后续的研究。第二种方式是先将事先解理好的二维材料用胶带贴合到si基材料表面，再通过表面涂敷有pva或pmma等粘性胶的pdms薄膜，把解理好的二维材料通过转移台转移到目标半导体表面上用于研究。

2、但是无论通过哪一种方式，应用二维材料机械解理技术解理二维材料并转移样品后，都不可避免的会在半导体表面产生大量杂质与胶水状物质，这些胶水状物质与杂质会严重影响半导体表面性质。并且考虑到在转移途中可能会出现转移失败等现象，无论样品转移成功本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于去除半导体材料表面残胶的方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：形成所述胶水层的胶水包括PVA和/或PMMA；

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述表面撕胶处理具体包括：在半导体材料具有残胶的整个表面覆设胶水以形成覆盖整个表面的胶水层，然后对所述胶水层进行加温干燥形成干燥的胶水层，再将所述胶水层撕去；

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刮擦处理具体包括：采用平头刮板对所述半导体材料表面进行一次或者多次刮擦，所述平头刮板与半导体材料表面接触的部分设置有擦拭材料，所述擦拭材料浸润有第二清洁剂；<...

【技术特征摘要】

1.一种用于去除半导体材料表面残胶的方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：形成所述胶水层的胶水包括pva和/或pmma；

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述表面撕胶处理具体包括：在半导体材料具有残胶的整个表面覆设胶水以形成覆盖整个表面的胶水层，然后对所述胶水层进行加温干燥形成干燥的胶水层，再将所述胶水层撕去；

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刮擦处理具体包括：采用平头刮板对所述半导体材料表面进行一次或者多次刮擦，所述平头刮板与半导体材料表面接触的部分设置有擦拭材料，所述擦拭材料浸润有第二清洁剂；

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：周尚，孟雨，钟海舰，
申请(专利权)人：赣南医科大学，
类型：发明
国别省市：