基于氢化三氧化钨/二氧化钛纳米阵列的PECOD传感器及其制备方法和应用技术

本发明专利技术属于PECOD传感器技术领域，具体涉及基于氢化三氧化钨/二氧化钛纳米阵列的PECOD传感器及其制备方法和应用。本发明专利技术在氢化的三氧化钨纳米板薄膜上附载一层二氧化钛纳米棒，不仅能够吸收更宽范围的光谱，而且在光照条件下促进光生e<supgt;‑</supgt;‑h<supgt;+</supgt;分离，具有更高的光催化活性，制备方法简单。在光照条件下，上述PECOD传感器利用光照和电流光电催化有机物，可用于测定废水中的COD，无需使用有毒试剂和腐蚀试剂，不仅节约时间和试剂成本，而且避免对检测人员的健康造成影响和对环境造成二次污染。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及pecod传感器，具体涉及基于氢化三氧化钨/二氧化钛纳米阵列的pecod传感器及其制备方法和应用。

技术介绍

1、化学需氧量(chemical oxygen demand，cod)是指在特定条件下，水样中能被氧化的物质在氧化时所需消耗氧化剂的量。cod常作为衡量水中有机物含量多少的指标，cod值越小，说明水质污染程度越轻。传统方法通常使用重铬酸盐或高锰酸盐等强氧化剂对水中或废水中存在的有机物进行氧化降解来估算cod，不仅具有灵敏度低、精度低、样本量大、昂贵等缺点，并且造成了有毒试剂(如hgso4)和腐蚀试剂(如浓h2so4)的大量消耗。因此寻找简便、环保的cod检测方法具有实用价值。

2、利用光电催化氧化法可将半导体光催化剂固定于导电基体上作为工作电极，并与具有电催化活性的材料制成复合电极，复合电极在光照激发下产生e--h+，电极表面产生的h+和·oh等自由基氧化溶液中的有机物，而光生e-通过外电路流向对极将氧化态组分还原，由于e-的单向流动进一步阻碍了e-和h+的复合，从而提高催化效率。基于光电催化氧化法的光电器件继承了光催化技本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.基于氢化三氧化钨/二氧化钛纳米阵列的PECOD传感器，其特征在于，在氢化的三氧化钨纳米板薄膜上附载一层二氧化钛纳米棒；所述氢化的WO3纳米板薄膜通过如下方法制备得到：将生长了WO3纳米板的FTO导电玻璃进行煅烧，降温后再在氩氢气混合气体的氛围中，进行第二次煅烧处理，降至室温之后，即可得到氢化的WO3纳米板薄膜。

2.权利要求1所述的基于氢化三氧化钨/二氧化钛纳米阵列的PECOD传感器的制备方法，其特征在于，其制备方法包括如下步骤：

3.根据权利要求2所述的基于氢化三氧化钨/二氧化钛纳米阵列的PECOD传感器的制备方法，其特征在于，步骤S2中，二水合钨酸钠溶于去...

【技术特征摘要】

1.基于氢化三氧化钨/二氧化钛纳米阵列的pecod传感器，其特征在于，在氢化的三氧化钨纳米板薄膜上附载一层二氧化钛纳米棒；所述氢化的wo3纳米板薄膜通过如下方法制备得到：将生长了wo3纳米板的fto导电玻璃进行煅烧，降温后再在氩氢气混合气体的氛围中，进行第二次煅烧处理，降至室温之后，即可得到氢化的wo3纳米板薄膜。

2.权利要求1所述的基于氢化三氧化钨/二氧化钛纳米阵列的pecod传感器的制备方法，其特征在于，其制备方法包括如下步骤：

3.根据权利要求2所述的基于氢化三氧化钨/二氧化钛纳米阵列的pecod传感器的制备方法，其特征在于，步骤s2中，二水合钨酸钠溶于去离子水的过程中，二水合钨酸钠的用量为0.23～0.46g，去离子水的用量为30～60ml；

4.根据权利要求2或3所述的基于氢化三氧化钨/二氧化钛纳米阵列的pecod传感器的制备方法，其特征在于，步骤s2中，向其中缓慢加入盐酸溶液并搅拌的搅拌时间为5～10min，向悬浮液加入草酸铵并继续搅拌的搅拌时间为8～12min。

5.根据权利要求2所述的基于氢化三氧化钨/二氧化钛纳米阵列的pecod传感器的制备方法，其特征在于，步骤s3中，水热反应的温度为120～140℃，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张声森，程水莲，张山青，杨思源，蔡欣，高琼芝，方岳平，
申请(专利权)人：华南农业大学，
类型：发明
国别省市：