光电器件、光电器件的制备方法以及电子设备技术

本申请公开了一种光电器件、光电器件的制备方法以及电子设备，所述光电器件包括：相对设置的阳极与阴极以及设置于阴极与阳极之间的电子功能层，其中，电子功能层包括间隔设置于阳极与阴极之间的N个电子传输层，N为大于等于2的正整数，电子功能层还包括亲核功能层，亲核功能层设置于相邻的两个电子传输层之间，亲核功能层的材料包含亲核化合物，促进了电子‑空穴传输平衡，从而提升了光电器件的光电性能和器件寿命，将所述光电器件或所述光电器件的制备方法制得的光电器件应用于电子设备中，有利于提高电子设备的显示效果和使用寿命，并有利于提升电子设备的性能稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及光电，具体涉及一种光电器件、光电器件的制备方法以及电子设备。

技术介绍

1、光电器件是指一类利用半导体的光电效应制成的器件，包括但不限于是发光器件、太阳能电池或光电探测器。以发光器件为例，发光器件包括但不限于是有机发光二极管(organic light-emitting diode,oled)和量子点发光二极管(quantum dot lightemitting diodes,qled)，oled/qled具有“三明治”结构，即包括阳极、阴极以及发光层，其中，阳极与阴极相对设置，发光层设置于阳极与阴极之间，oled/qled的发光原理是：电子从器件的阴极注入至发光区，空穴从器件的阳极注入至发光区，电子和空穴在发光区复合形成激子，复合后的激子通过辐射跃迁的形式释放光子，从而发光。

2、光电器件经过多年的发展，性能指标方面取得了巨大的进步，也展现出巨大的应用发展潜力，但是目前仍存在不足之处，光电器件的光电性能和器件寿命有待进一步地提升。

技术实现思路

1、本申请提供了一种光电器件的制备方法、本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种光电器件，其特征在于，所述光电器件包括：

2.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，任意相邻的两个所述电子传输层之间设有至少一个所述亲核功能层；和/或

3.根据权利要求2所述的光电器件，其特征在于，所述脂肪烃基的碳原子数为1～10，可选地，所述脂肪烃基选自戊基、己基、庚基或辛基；所述芳香烃基的碳原子数为6～20，可选地，所述芳香烃基选自苯基、萘基或联苯基；和/或

4.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述电子功能层的总厚度为40nm～200nm；和/或

5.根据权利要求1中所述的光电器件，其特征在于，所述电子功能层还包括...

【技术特征摘要】

1.一种光电器件，其特征在于，所述光电器件包括：

2.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，任意相邻的两个所述电子传输层之间设有至少一个所述亲核功能层；和/或

3.根据权利要求2所述的光电器件，其特征在于，所述脂肪烃基的碳原子数为1～10，可选地，所述脂肪烃基选自戊基、己基、庚基或辛基；所述芳香烃基的碳原子数为6～20，可选地，所述芳香烃基选自苯基、萘基或联苯基；和/或

4.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述电子功能层的总厚度为40nm～200nm；和/或

5.根据权利要求1中所述的光电器件，其特征在于，所述电子功能层还包括至少一个辅助功能层，所述辅助功能层设置于相邻的所述电子传输层与所述亲核功能层之间，和/或所述辅助功能层设置于相邻的两个所述亲核功能层之间；所述辅助功能层的材料包含交联化合物，所述交联化合物是第三化合物发生自交联反应而形成的化合物；

6.根据权利要求5所述的光电器件，其特征在于，所述辅助功能层的厚度为7nm～15nm；和/或

7.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述光电器件还包括发光层，所述发光层设置于所述阳极与所述电子功能层之间；所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：敖资通，洪佳婷，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：