一种B位掺杂的NaNbO3高熵陶瓷材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种B位掺杂的NaNbO<subgt;3</subgt;高熵陶瓷材料及其制备方法，属于高熵陶瓷材料技术领域。所述高熵陶瓷的化学式为Na(Nb<subgt;0.25</subgt;Ta<subgt;0.25</subgt;V<subgt;0.25</subgt;W<subgt;0.25</subgt;)O<subgt;3</subgt;，制备过程为按照设计的化学计量比分别称量Na<subgt;2</subgt;CO<subgt;3</subgt;、Nb<subgt;2</subgt;O<subgt;5</subgt;、Ta<subgt;2</subgt;O<subgt;5</subgt;、V<subgt;2</subgt;O<subgt;5</subgt;、WO<subgt;3</subgt;原料粉末，之后进行湿法球磨、干燥、煅烧、二次球磨、干燥、研磨、压片，最后在空气中1100℃下烧结4h得到高熵陶瓷。该高熵陶瓷在1kHz频率测试下，在常温下介电损耗低于0.05，介电常数为223。在常温下，测试频率从1kHz升高到1MHz时，该高熵陶瓷的介电常数保持稳定，在陶瓷电容器领域具有广泛的应用潜力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种b位掺杂的nanbo3高熵陶瓷材料及其制备方法，属于高熵陶瓷。

技术介绍

1、铌酸钠(nanbo3)是一种典型的介电陶瓷材料，经过掺杂之后可以提升介电常数，降低介电损耗。

2、高熵陶瓷材料为五种及五种以上元素等比例或者近似等比例进行掺杂形成的多主元固溶体陶瓷。经过研究的深入，四主元等比例进行掺杂形成的单相固溶体陶瓷也可以被称为高熵陶瓷。在介电陶瓷领域，还未曾有过对铌酸钠进行高熵化的设计的研究或报道，本专利是通过对铌酸钠进行b位高熵化设计，将化学性质相近的四种元素等摩尔比掺杂到铌酸钠的b位晶格中，可以引起了铌酸钠产生晶格畸变效应，使其混乱度增加，可以提高其介电常数。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种b位掺杂的nanbo3高熵陶瓷材料及其制备方法，所述陶瓷的化学式为：na(nb0.25ta0.25v0.25w0.25)o3。

2、其制备方法包括以下步骤：

3、(1)按照na(nb0.25ta0.25v0.25w0.25)o3化学式分别称量na2c本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种B位掺杂的NaNbO3高熵陶瓷材料，其特征在于：所述高熵陶瓷在B位进行高熵化设计，所述高熵陶瓷的化学式为：Na(Nb0.25Ta0.25V0.25W0.25)O3。

2.根据权利要求1所述一种B位掺杂的NaNbO3高熵陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

3.根据权利要求2所述一种B位掺杂的NaNbO3高熵陶瓷材料的制备方法，其特征在于：步骤(2)中一次球磨和二次球磨的条件均为：球磨机的转速为15～35转/分钟，球磨时间为36～72小时，球磨介质为蒸馏水、氧化锆球，球：料：蒸馏水为(2～3):1:1。球磨介质为氧化锆球，氧化锆球大球，中球，小球的...

【技术特征摘要】

1.一种b位掺杂的nanbo3高熵陶瓷材料，其特征在于：所述高熵陶瓷在b位进行高熵化设计，所述高熵陶瓷的化学式为：na(nb0.25ta0.25v0.25w0.25)o3。

2.根据权利要求1所述一种b位掺杂的nanbo3高熵陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

3.根据权利要求2所述一种b位掺杂的nanbo3高熵陶瓷材料的制备方法，其特征在于：步骤(2)中一次球磨和二次球磨的条件均为：球磨机的转速为15～35转/分钟，球磨时间为36～72小时，球磨介质为蒸馏水、氧化锆球，球：料：蒸馏水为(2～3):1:1。球磨介质为氧化锆球，氧化锆球大球，中球，小球的质量比为1：(2～3)：1。

4.根据权利要求2所述一种b位掺杂的nanbo3高熵陶瓷材料的制备方法，其特征在于：步骤(2)中干燥的温度为80～120℃，干燥时间为12～30h。

5...

【专利技术属性】
技术研发人员：张涵，杨现猛，黄新春，黄章峰，宋邦洪，李朝雄，
申请(专利权)人：安徽盈锐优材科技有限公司，
类型：发明
国别省市：