【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电路设计，具体涉及一种电压产生电路及晶体振荡器电路。
技术介绍
1、晶体振荡器在电路中有着很广泛的应用，但申请人发现，晶体振荡器的起振时间并不固定，尤其是在不同的温度环境下，起振时间的差异更是明显，这对应用该晶体振荡器的电路带来不利影响。例如，在应用电路的控制系统中，要么预留较长的时间给晶体振荡器完成启动，造成时间上的浪费。而严重时，更有可能造成晶体振荡器不能正常启动，如此应用电路也不能正常使用。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种电压产生电路及及晶体振荡器电路，起振时间表相对比较固定。
2、为达上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
3、本专利技术提供一种电压产生电路，包括第一mos管、第二mos管、第三mos管、第四mos管，所述第一mos管的第一端、所述第二mos管的第一端均与外部电源耦接，所述第一mos管的第二端、所述第二mos管的第二端、所述第一mos管的第三端相互连接，所述第一mos管的第三端与所述第三mos管的第三端连接，所述第二mos管的第三端与所述第四mos管的第三端连接，所述第三mos管的第二端、所述第四mos管的第二端、所述第四mos管的第三端相互连接，所述第三mos管的第一端、所述第四mos管的第一端均与地耦接，所述第二mos管的第二端为电压输出端，产生电压向外部输出。
4、在一实施方式中，所述第三mos管的第一端、所述第四mos管的第一端共同经由第一电阻与地连接。
5、在一实施方式中
6、在一实施方式中，所述第一mos管为第一pmos管，所述第二mos管为第二pmos管，所述第三mos管为第一nmos管，所述第四mos管为第二nmos管，所有mos管的第一端均为源端，所有mos管的第二端均为栅端，所有mos管的第三端均为漏端。
7、在一实施方式中，所述第一mos管的沟道的宽长比与所述第二mos管的沟道的宽长比相同，所述第三mos管的沟道的宽长比是所述第四mos管的沟道的宽长比的a倍，a大于1。
8、在一实施方式中，所述第一电阻为正温度系数的热敏电阻。
9、本专利技术还提供一种晶体振荡器电路，包括偏压电路、第五mos管、第六mos管、晶体振荡器，所述偏压电路为如前所述的电压产生电路，其电压输出端与所述第五mos管的第二端连接，所述第五mos管的第一端与外部电源耦接，所述第五mos管的第三端与所述第六mos管的第三端连接，所述晶体振荡器连接于所述第六mos管的第三端、所述第六mos管的第二端之间，所述第六mos管的第一端与地耦接。
10、在一实施方式中，所述第五mos管为第三pmos管，所述第六mos管为第三nmos管，相应的，所有mos管的第一端也均为源端，所有mos管的第二端均为栅端，所有mos管的第三端均为漏端。
11、在一实施方式中，所述第五mos管的沟道的宽长比是所述第一mos管的沟道的宽长比的b倍，b大于0。
12、在一实施方式中，所述晶体振荡器电路还包括第二电阻、第一电容、第二电容，所述第二电阻连接于所述第六mos管的第三端、所述第六mos管的第二端之间，所述第一电容连接于所述晶体振荡器的第一端与地之间，所述第二电容连接于所述晶体振荡器的第二端与地之间。
13、与现有技术相比，本专利技术的技术方案具有以下有益效果：
14、本专利技术所述电压产生电路及晶体振荡器电路，在温度上升时，电压产生电路提供的电压会略有下降，该电压提供给晶体振荡器电路，使得晶体振荡器电路中mos管的上流过的电流略有上升，mos管的跨导略有上升；而在温度上升时，晶体振荡器电路中mos管的跨导本身会略有下降，从而使得mos管的跨导整体变化不明显，进而最终晶体振荡器电路的起振时间相对比较固定。而且，本专利技术电压产生电路及晶体振荡器电路结构均比较简单，容易实现。
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1.一种电压产生电路，其特征在于，所述电压产生电路包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管，所述第一MOS管的第一端、所述第二MOS管的第一端均与外部电源耦接，所述第一MOS管的第二端、所述第二MOS管的第二端、所述第一MOS管的第三端相互连接，所述第一MOS管的第三端与所述第三MOS管的第三端连接，所述第二MOS管的第三端与所述第四MOS管的第三端连接，所述第三MOS管的第二端、所述第四MOS管的第二端、所述第四MOS管的第三端相互连接，所述第三MOS管的第一端、所述第四MOS管的第一端均与地耦接，所述第二MOS管的第二端为电压输出端，产生电压向外部输出。
2.根据权利要求1所述的电压产生电路，其特征在于，所述第三MOS管的第一端、所述第四MOS管的第一端共同经由第一电阻与地连接。
3.根据权利要求2所述的电压产生电路，其特征在于，所述第三MOS管的衬底与地直接连接，所述第四MOS管的衬底与所述第四MOS管的第一端连接。
4.根据权利要求1所述的电压产生电路，其特征在于，所述第一MOS管为第一PMOS管，所述第二MOS管为第
5.根据权利要求1所述的电压产生电路，其特征在于，所述第一MOS管的沟道的宽长比与所述第二MOS管的沟道的宽长比相同，所述第三MOS管的沟道的宽长比是所述第四MOS管的沟道的宽长比的A倍，A大于1。
6.根据权利要求2所述的电压产生电路，其特征在于，所述第一电阻为正温度系数的热敏电阻。
7.一种晶体振荡器电路，其特征在于，包括偏压电路、第五MOS管、第六MOS管、晶体振荡器，所述偏压电路为如权利要求1-6任意一项所述的电压产生电路，其电压输出端与所述第五MOS管的第二端连接，所述第五MOS管的第一端与外部电源耦接，所述第五MOS管的第三端与所述第六MOS管的第三端连接，所述晶体振荡器连接于所述第六MOS管的第三端、所述第六MOS管的第二端之间，所述第六MOS管的第一端与地耦接。
8.根据权利要求7所述的晶体振荡器电路，其特征在于，所述第五MOS管为第三PMOS管，所述第六MOS管为第三NMOS管，所有MOS管的第一端均为源端，所有MOS管的第二端均为栅端，所有MOS管的第三端均为漏端。
9.根据权利要求7所述的晶体振荡器电路，其特征在于，所述第五MOS管的沟道的宽长比是所述第一MOS管的沟道的宽长比的B倍，B大于0。
10.根据权利要求7所述的晶体振荡器电路，其特征在于，所述晶体振荡器电路还包括第二电阻、第一电容、第二电容，所述第二电阻连接于所述第六MOS管的第三端、所述第六MOS管的第二端之间，所述第一电容连接于所述晶体振荡器的第一端与地之间，所述第二电容连接于所述晶体振荡器的第二端与地之间。
...【技术特征摘要】
1.一种电压产生电路，其特征在于，所述电压产生电路包括第一mos管、第二mos管、第三mos管、第四mos管，所述第一mos管的第一端、所述第二mos管的第一端均与外部电源耦接，所述第一mos管的第二端、所述第二mos管的第二端、所述第一mos管的第三端相互连接，所述第一mos管的第三端与所述第三mos管的第三端连接，所述第二mos管的第三端与所述第四mos管的第三端连接，所述第三mos管的第二端、所述第四mos管的第二端、所述第四mos管的第三端相互连接，所述第三mos管的第一端、所述第四mos管的第一端均与地耦接，所述第二mos管的第二端为电压输出端，产生电压向外部输出。
2.根据权利要求1所述的电压产生电路，其特征在于，所述第三mos管的第一端、所述第四mos管的第一端共同经由第一电阻与地连接。
3.根据权利要求2所述的电压产生电路，其特征在于，所述第三mos管的衬底与地直接连接，所述第四mos管的衬底与所述第四mos管的第一端连接。
4.根据权利要求1所述的电压产生电路，其特征在于，所述第一mos管为第一pmos管，所述第二mos管为第二pmos管，所述第三mos管为第一nmos管，所述第四mos管为第二nmos管，所有mos管的第一端均为源端，所有mos管的第二端均为栅端，所有mos管的第三端均为漏端。
5.根据权利要求1所述的电压产生电路，其特征在于，所述第一mos管的沟道的宽长比与所述第二mos管...
【专利技术属性】
技术研发人员：章彬，王洋，吴建舟，
申请(专利权)人：苏州旗芯微半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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