【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电路设计，具体涉及一种电压产生电路及晶体振荡器电路。
技术介绍
1、晶体振荡器在电路中有着很广泛的应用，但申请人发现，晶体振荡器的起振时间并不固定，尤其是在不同的温度环境下，起振时间的差异更是明显，这对应用该晶体振荡器的电路带来不利影响。例如，在应用电路的控制系统中，要么预留较长的时间给晶体振荡器完成启动，造成时间上的浪费。而严重时，更有可能造成晶体振荡器不能正常启动，如此应用电路也不能正常使用。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种电压产生电路及及晶体振荡器电路，起振时间表相对比较固定。
2、为达上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
3、本专利技术提供一种电压产生电路，包括第一mos管、第二mos管、第三mos管、第四mos管，所述第一mos管的第一端、所述第二mos管的第一端均与外部电源耦接，所述第一mos管的第二端、所述第二mos管的第二端、所述第一mos管的第三端相互连接，所述第一mos管的第三端与所述第三mos管的第三端连接，所述...
【技术保护点】
1.一种电压产生电路，其特征在于，所述电压产生电路包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管，所述第一MOS管的第一端、所述第二MOS管的第一端均与外部电源耦接，所述第一MOS管的第二端、所述第二MOS管的第二端、所述第一MOS管的第三端相互连接，所述第一MOS管的第三端与所述第三MOS管的第三端连接，所述第二MOS管的第三端与所述第四MOS管的第三端连接，所述第三MOS管的第二端、所述第四MOS管的第二端、所述第四MOS管的第三端相互连接，所述第三MOS管的第一端、所述第四MOS管的第一端均与地耦接，所述第二MOS管的第二端为电压输出端，产生电压向外
【技术特征摘要】
1.一种电压产生电路，其特征在于，所述电压产生电路包括第一mos管、第二mos管、第三mos管、第四mos管，所述第一mos管的第一端、所述第二mos管的第一端均与外部电源耦接，所述第一mos管的第二端、所述第二mos管的第二端、所述第一mos管的第三端相互连接，所述第一mos管的第三端与所述第三mos管的第三端连接，所述第二mos管的第三端与所述第四mos管的第三端连接，所述第三mos管的第二端、所述第四mos管的第二端、所述第四mos管的第三端相互连接，所述第三mos管的第一端、所述第四mos管的第一端均与地耦接，所述第二mos管的第二端为电压输出端，产生电压向外部输出。
2.根据权利要求1所述的电压产生电路，其特征在于，所述第三mos管的第一端、所述第四mos管的第一端共同经由第一电阻与地连接。
3.根据权利要求2所述的电压产生电路，其特征在于，所述第三mos管的衬底与地直接连接，所述第四mos管的衬底与所述第四mos管的第一端连接。
4.根据权利要求1所述的电压产生电路，其特征在于，所述第一mos管为第一pmos管，所述第二mos管为第二pmos管，所述第三mos管为第一nmos管，所述第四mos管为第二nmos管，所有mos管的第一端均为源端，所有mos管的第二端均为栅端，所有mos管的第三端均为漏端。
5.根据权利要求1所述的电压产生电路，其特征在于，所述第一mos管的沟道的宽长比与所述第二mos管...
【专利技术属性】
技术研发人员：章彬，王洋，吴建舟，
申请(专利权)人：苏州旗芯微半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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