V2C纳米片/硫掺杂氮化碳复合HER光催化剂的制备方法技术

技术编号:43281137 阅读:33 留言:0更新日期:2024-11-12 16:04
本发明专利技术公开了一种V<subgt;2</subgt;C纳米片/硫掺杂氮化碳复合HER光催化剂的制备方法,将三聚氰胺置于马弗炉中,在空气氛围中热解处理得到氮化碳;将所得氮化碳、V<subgt;2</subgt;C MXene纳米片、硫粉混合,使用球磨法干磨,得到含碳、氮、硫和钒的前驱体;将所得前驱体在保护氛围中热处理得到V<subgt;2</subgt;C MXene纳米片/硫掺杂氮化碳复合HER光催化剂;本发明专利技术合成设备简单、条件宽松、原料易得、成本低廉且环境友好,克服了现有合成HER光催化剂繁琐的步骤,尤其解决了合成过程中固液分离的麻烦,且制得的HER光催化剂表现出优异的光解水制氢性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于催化剂,具体涉及一种her光催化剂的制备方法。


技术介绍

1、h2是一种绿色且可持续的新型清洁能源。光催化her过程可直接将太阳能转化为h2,是解决能源危机的一种有有效策略。迄今为止,铂(pt)、钯(pd)、铑(ru)等贵金属对her表现出良好的催化活性。然而,贵金属资源稀缺、成本高昂,严重阻碍了氢能的推广与开发。基于此,研究者在过去的十年里对非贵金属的光催化her过程进行了大量的研究,其中过渡金属化合物和杂原子掺杂氮化碳的复合型催化剂,因杂原子掺杂与异质结构建两者间有效的协同催化作用,被认为是一类极具应用潜力的光催化材料。一方面,杂原子掺杂可氮化碳拓宽光吸收范围,亦能改变氮化碳表面电子性质,利于光催化her过程中的载流子迁移;另一方面,过渡金属化合物与氮化碳强耦合界面的构建界,有助于光生载流子的分离与传输。

2、基于此,诸多杂原子掺杂和异质结构建协同促进氮化碳光催化her性能的研究相继被报道。例如,专利cn110227533a公开了一种煅烧法合成氧掺杂石墨相氮化碳光催化剂的方法,所述石墨相氮化碳存在氰基结构缺陷,具有可见光催化活本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.V2C纳米片/硫掺杂氮化碳复合HER光催化剂的制备方法,其特征在于包括以下步骤:

2.如权利要求1所述V2C纳米片/硫掺杂氮化碳复合HER光催化剂的制备方法,其特征在于步骤1中热解温度为520℃,热解时间为4h。

3.如权利要求1所述V2C纳米片/硫掺杂氮化碳复合HER光催化剂的制备方法,其特征在于步骤2所述的V2C MXene纳米片直径介于100~1000nm之间。

4.如权利要求1所述V2C纳米片/硫掺杂氮化碳复合HER光催化剂的制备方法,其特征在于步骤2所述的硫粉为化学纯的升华硫。

5.如权利要求1所述V2C纳米片/硫掺杂氮化碳复...

【技术特征摘要】

1.v2c纳米片/硫掺杂氮化碳复合her光催化剂的制备方法,其特征在于包括以下步骤:

2.如权利要求1所述v2c纳米片/硫掺杂氮化碳复合her光催化剂的制备方法,其特征在于步骤1中热解温度为520℃,热解时间为4h。

3.如权利要求1所述v2c纳米片/硫掺杂氮化碳复合her光催化剂的制备方法,其特征在于步骤2所述的v2c mxene纳米片直径介于100~1000nm之间。

4.如权利要求1所述v2c纳米片/硫掺杂氮化碳复合her光催化剂的制备方法,其特征在于步骤2所述的硫粉为化学纯的升华硫。

5.如权利要求1所述v2c纳米片/硫掺杂氮化碳复合her光催化剂的制备方法,其特征在于步骤2中氮化碳、硫粉的质量比为1:(2~10);v2c mxene纳米片在前驱体中质量百分比含量为0.01-1%。

6.如权利要求1所述v2c纳米片/硫掺杂氮化碳复合her光催化剂的制备方法,其特征在于步骤2中球...

【专利技术属性】
技术研发人员:王海涛凡纪鹏邹菁项坤
申请(专利权)人:武汉工程大学
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1