半导体材料及层叠半导体材料制造技术

本发明专利技术的技术问题在于提供对地球环境友好、对生物危害小的半导体材料及层叠半导体材料。解决手段在于，具有以来自木材、植物纤维(纸浆)、动物、藻类、微生物及微生物产物中的至少任意一种的纤维为主要成分的纤维物质，并具有N型的负电阻。优选纤维物质由纤维素纳米纤维(CNF)束构成，该束的宽度为30~50nm。此外，优选纤维物质由在纤维素上键合多个羟基与多个羰基而成的物质构成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及半导体材料及层叠半导体材料。

技术介绍

1、半导体利用其导电性因引入杂质或受到热、光、磁场、电压、电流、射线等影响而显著变化的性质，被用于高电压电力电路(强电)或电子·电气设备电路(弱电)。半导体被广泛用于特别是各种二极管、晶体管、fet、sit、ram、rom、ccd等弱电元件，其对电子设备而言是不可或缺的电子部件。近年来，移动电话或超小型存储装置等高功能it产品及电动汽车用电池快速进化，对进一步小型、大容量且高功能的半导体的需求在增加。其中，特别是谋求一种适合智能电网(新一代电网)社会的半导体，所述智能电网符合用于防止地球变暖的绿色创新(低碳化)。

2、以往，作为半导体材料可使用无机材料及有机材料。作为弱电领域的电子·电气设备电路用的半导体材料，主要使用si或化合物半导体，例如，本申请的专利技术人等开发了材质为无定形ni-nb-zr-h合金构成的金属/半导体型的晶体管(例如，参照非专利文献1~5、专利文献1)。此外，作为电视或智能手机产品中主要构件的有机el或有机太阳能电池的部件，也会使用有机半导体(例如，参照专利文献2)。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体材料，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的半导体材料，其特征在于，所述半导体材料为n型半导体。

3.根据权利要求1或2所述的半导体材料，其特征在于，所述纤维物质由纤维素纳米纤维(CNF)束构成，所述束的宽度为30~50nm。

4.根据权利要求1或2所述的半导体材料，其特征在于，所述纤维物质由纤维素纳米纤维(CNF)束构成，所述束的长径比为1~200。

5.根据权利要求1或2所述的半导体材料，其特征在于，所述纤维物质由在纤维素上键合多个羟基与多个羰基而成的物质构成。

6.根据权利要求1或2所述的半导体材料，其特征在...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体材料，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的半导体材料，其特征在于，所述半导体材料为n型半导体。

3.根据权利要求1或2所述的半导体材料，其特征在于，所述纤维物质由纤维素纳米纤维(cnf)束构成，所述束的宽度为30~50nm。

4.根据权利要求1或2所述的半导体材料，其特征在于，所述纤维物质由纤维素纳米纤维(cnf)束构成，所述束的长径比为1~2...

【专利技术属性】
技术研发人员：福原干夫，桥田俊之，横塚知典，
申请(专利权)人：国立大学法人东北大学，
类型：发明
国别省市：