存内处理芯片制造技术

技术编号:43274300 阅读:25 留言:0更新日期:2024-11-12 16:00
本公开提供一种存内处理芯片,至少可以包括接口电路,存储电路以及计算单元;所述接口电路与所述存储电路之间具有第一传输路径;所述存储电路与所述计算单元之间具有第二传输路径;所述接口电路与所述计算单元之间具有第三传输路径,所述第三传输路径与所述第一传输路径相互独立。

【技术实现步骤摘要】

本申请实施例涉及半导体领域,特别涉及一种存内处理芯片


技术介绍

1、随着人工智能、大数据的不断发展,各种应用场景对于算力的需求不断提高。然而,由于主流计算架构采用的是存算分离的冯诺依曼架构,而存储器的带宽增长速度远远赶不上处理器算力提升速度,因此会存在由于带宽不足而导致的计算系统实际算力受限的存储墙问题。已有的存内处理芯片是将存储芯片中的部分存储单元替换为计算单元实现的,可以不改变整个芯片的封装方式,但存在容量损失和算力不高的问题。


技术实现思路

1、本申请实施例提供一种新的存内处理芯片的架构。

2、根据本申请一些实施例,本申请实施例提供一种存内处理芯片,包括接口电路,存储电路以及计算单元;所述接口电路与所述存储电路之间具有第一传输路径;所述存储电路与所述计算单元之间具有第二传输路径;所述接口电路与所述计算单元之间具有第三传输路径,所述第三传输路径与所述第一传输路径相互独立。

3、在一些实施例中,所述存内处理芯片包含多个所述存储电路和多个所述计算单元,每一所述计算单元对应至少一个所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种存内处理芯片,其特征在于,包括接口电路,存储电路以及计算单元;

2.根据权利要求1所述的存内处理芯片,其特征在于,所述存内处理芯片包含多个所述存储电路和多个所述计算单元,每一所述计算单元对应至少一个所述存储电路,不同所述存储电路具有对应的所述第一传输路径和所述第二传输路径,不同的所述存储电路通过对应的所述第一传输路径与所述接口电路连接。

3.根据权利要求1或2所述的存内处理芯片,其特征在于,所述第一传输路径至少用于传输模型数据,所述第二传输路径至少用于传输模型数据,所述第三传输路径至少用于传输初始数据和目标数据,所述计算单元基于所述模型数据对所述初始数据进...

【技术特征摘要】

1.一种存内处理芯片,其特征在于,包括接口电路,存储电路以及计算单元;

2.根据权利要求1所述的存内处理芯片,其特征在于,所述存内处理芯片包含多个所述存储电路和多个所述计算单元,每一所述计算单元对应至少一个所述存储电路,不同所述存储电路具有对应的所述第一传输路径和所述第二传输路径,不同的所述存储电路通过对应的所述第一传输路径与所述接口电路连接。

3.根据权利要求1或2所述的存内处理芯片,其特征在于,所述第一传输路径至少用于传输模型数据,所述第二传输路径至少用于传输模型数据,所述第三传输路径至少用于传输初始数据和目标数据,所述计算单元基于所述模型数据对所述初始数据进行计算处理,以得到所述目标数据。

4.根据权利要求3所述的存内处理芯片,其特征在于,所述第一传输路径还用于传输所述初始数据和所述目标数据,所述第二传输路径还用于传输所述初始数据和所述目标数据。

5.根据权利要求4所述的存内处理芯片,其特征在于,所述第一传输路径和所述第二传输路径的带宽大于所述第三传输路径,所述第三传输路径传输所述初始数据和所述目标数据的优先级高于所述第一传输路径和所述第二传输路径。

6.根据权利要求1或2所述的存内处理芯片,其特征在于,所述存内处理芯片还包括:选通...

【专利技术属性】
技术研发人员:曹堪宇涂华垚唐衍哲张林李红文高恩鹏
申请(专利权)人:长鑫科技集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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