选择性动态随机存取存储器（DRAM）设备内元数据的存储和存取制造技术

描述了用于在选择性动态随机存取存储器(DRAM)设备内存储和存取元数据的技术。在一个示例中，一种双列直插式存储器模块(DIMM)包括多个动态随机存取存储器(DRAM)设备，其中多个DRAM设备中的每个DRAM设备包括管芯上ECC比特。所述多个DRAM设备中的至少一个包括用于提供存取以从所述DRAM设备的所述管芯上ECC比特读取和向所述DRAM设备的所述管芯上ECC比特写入的电路模块。所述DIMM包括一个或多个管脚，用于向所述DRAM设备的所述管芯上ECC比特传输元数据或从所述DRAM设备的所述管芯上ECC比特传输元数据。

【技术实现步骤摘要】

概括地说，描述与计算机存储器相关，并且更具体地说，描述与动态随机存取存储器(dram)设备中的元数据的存储和存取相关。

技术介绍

1、计算系统的性能高度依赖于其系统存储器的性能。存储器系统将元数据用于各种目的。例如，元数据可以具有多种用途中的任何一种，例如存储以下类型的元数据中的任何一种或全部：安全性、目录、位置、高速缓存标签、完整性、加密、解密、压缩、存储器层次结构比特和/或其他元数据。

技术实现思路

【技术保护点】

1.一种双列直插式存储器模块(DIMM)，包括：

2.根据权利要求1所述的DIMM，其中：

3.根据权利要求1所述的DIMM，其中：

4.根据权利要求1所述的DIMM，其中：

5.根据权利要求1所述的DIMM，其中：

6.根据权利要求1-5中的任一项所述的DIMM，其中：

7.根据权利要求1-5中的任一项所述的DIMM，其中：

8.根据权利要求1-5中的任一项所述的DIMM，其中：

9.根据权利要求1-5中的任一项所述的DIMM，其中：

10.根据权利要求1-5中的任一项所述的DI...

【技术特征摘要】

1.一种双列直插式存储器模块(dimm)，包括：

2.根据权利要求1所述的dimm，其中：

3.根据权利要求1所述的dimm，其中：

4.根据权利要求1所述的dimm，其中：

5.根据权利要求1所述的dimm，其中：

6.根据权利要求1-5中的任一项所述的dimm，其中：

7.根据权利要求1-5中的任一项所述的dimm，其中：

8.根据权利要求1-5中的任一项所述的dimm，其中：

9.根据权利要求1-5中的任一项所述的dimm，其中：

10.根据权利要求1-5中的任一项所述的dimm，其中：

11.根据权利要求1-5中的任一项所述的dimm，其中：

12.根据权利要求11所述的dimm，还包括：

13.根据权利要求1-5中...

【专利技术属性】
技术研发人员：T·欣克，K·S·贝恩斯，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：