一种微显示芯片结构及制作方法技术

本申请公开了一种微显示芯片结构及制作方法，包括基板；在所述基板之上设有布线线路；在所述布线线路之上设有键合层；在所述键合层之上设置有Mi cro LED芯片；所述Mi cro LED芯片被绝缘保护层包覆，且暴露出所述布线线路；在所述布线线路之上设有打线电极，且所述打线电极和布线线路实现金属互联；本申请通过对芯片结构的简化、设计和布局以及提供相应的制作方法，通过RGB三色芯片的简化集成，使得芯片结构更简化，制作成本更低，解决了现有技术中微芯片结构及制作方法复杂，制作成本高的问题，很好的满足了企业生产需求，有利于企业竞争力的提升。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及led显示，具体涉及一种微显示芯片结构及制作方法。

技术介绍

1、微型发光二极管(mi cro led)是指有微米量级特征尺寸的发光二极管，将rgb三基色mi cro led芯片进行高密度集成所组成的mi cro led芯片阵列用于显示领域可以实现全彩化显示，与传统的lcd以及oled相比，mi cro led凭借着在对比度、反应时间、能耗、可视角度、分辨率、使用寿命等诸多方面的巨大优势，在面板显示器、平视显示器(hud)、增强现实(ar)、虚拟现实(vr)、智能手表和智能手机、元宇宙等领域应用前景十分可观。

2、当前，mi cro led全彩化显示器的技术方案，主要分为两类：(1)采用红绿蓝三种不同发光波长的mi cro led芯片间隔排布成像素点阵列，实现全彩化显示，需要进行至少三次巨量转移，才能将来自红、绿、蓝三种不同外延片上的mi cro led芯片排布完成，提升巨量转移的良率和生产效率是该技术方案需要解决的关键难题；(2)采用蓝光或者近紫外光mi cro led芯片排布成阵列，再根据红、绿、蓝像素点排布，在相应像素点对应本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种微显示芯片结构，其特征在于，包括基板；

2.如权利要求1所述的微显示芯片结构，其特征在于，所述基板与所述布线线路之间还设有绝缘反射层。

3.如权利要求2所述的微显示芯片结构，其特征在于，所述绝缘反射层由低折射率/高折射率的交叠材料制成，其厚度为1.0-5.0um。

4.如权利要求1所述的微显示芯片结构，其特征在于，所述基板为绝缘的有机或无机材料，其材料为硅胶、环氧树脂、石英玻璃、蓝宝石衬底中的一种，其厚度为50-500um。

5.如权利要求1所述的微显示芯片结构，其特征在于，所述布线线路为金属叠层，其材料为Cr、Ni、Pt、Ti中的...

【技术特征摘要】

1.一种微显示芯片结构，其特征在于，包括基板；

2.如权利要求1所述的微显示芯片结构，其特征在于，所述基板与所述布线线路之间还设有绝缘反射层。

3.如权利要求2所述的微显示芯片结构，其特征在于，所述绝缘反射层由低折射率/高折射率的交叠材料制成，其厚度为1.0-5.0um。

4.如权利要求1所述的微显示芯片结构，其特征在于，所述基板为绝缘的有机或无机材料，其材料为硅胶、环氧树脂、石英玻璃、蓝宝石衬底中的一种，其厚度为50-500um。

5.如权利要求1所述的微显示芯片结构，其特征在于，所述布线线路为金属叠层，其材料为cr、ni、pt、ti中的一种或其多种合金材料，其厚度为0.2-0.5um。

6.如权利要求1所述的微显示芯片结构，其特征在于，所述键合层为金属叠层，其材料为cr、ni、pt、ti、au、...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈亮，陈波，
申请(专利权)人：昆山麦沄显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：