反熔丝单元、反熔丝阵列及存储器制造技术

本公开实施例提供了一种反熔丝单元、反熔丝阵列及存储器，其中，反熔丝单元包括：基底；基底包括有源区、以及位于有源区中的第一掺杂区；第一栅极结构和第二栅极结构，位于第一掺杂区沿第一方向两侧的有源区的表面；其中，有源区包括沿第三方向延伸的第一对相邻面，第一对相邻面之间构成第一夹角；第一夹角的顶点与有源区顶表面具有第一交点，第一交点位于第一栅极结构在有源区上的投影区域内；第一夹角小于180度；第一方向与第一掺杂区的延伸方向垂直，且位于基底所在的平面内；第三方向与基底所在的平面相交。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体，涉及但不限于一种反熔丝单元、反熔丝阵列及存储器。

技术介绍

1、反熔丝器件(anti-fuse)是一次性可编程器件(one time program，otp)，一旦反熔丝器件被编程，所存储的数据是永久的。由于这个特性，反熔丝器件被广泛用于动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)等存储器中，在冗余存储单元修复损伤时提供一次性编程地址表。例如当有一个字线对应的存储单元有缺陷时，dram的控制电路关闭对这个存储单元的读写，并通过反熔丝器件打开冗余区域的一个存储单元的读写，此时，冗余区域对应的存储单元完全取代了有缺陷的存储单元，dram的缺陷被修复。

2、目前，在对反熔丝器件进行熔断处理时，由于熔丝栅极下沟道面积较大，击穿位置不稳定，导致反熔丝器件熔断后阻值波动较大，对随后的读取操作影响较大。

技术实现思路

1、有鉴于此，本公开实施例提供一种反熔丝单元、反熔丝阵列及存储器。

2、第一方面，本公开实施例提供一种反熔丝单元，包括：<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种反熔丝单元，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的反熔丝单元，其特征在于，所述有源区还包括沿所述第三方向延伸的第二对相邻面，所述第二对相邻面构成第二夹角；

3.根据权利要求2所述的反熔丝单元，其特征在于，所述第二夹角小于180度；

4.根据权利要求3所述的反熔丝单元，其特征在于，所述第一夹角和所述第二夹角均为135度。

5.根据权利要求2所述的反熔丝单元，其特征在于，所述基底还包括位于所述有源区之间的浅沟槽隔离结构；

6.根据权利要求4所述的反熔丝单元，其特征在于，所述基底还包括形成于所述有源区中的第二掺杂区、以及...

【技术特征摘要】

1.一种反熔丝单元，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的反熔丝单元，其特征在于，所述有源区还包括沿所述第三方向延伸的第二对相邻面，所述第二对相邻面构成第二夹角；

3.根据权利要求2所述的反熔丝单元，其特征在于，所述第二夹角小于180度；

4.根据权利要求3所述的反熔丝单元，其特征在于，所述第一夹角和所述第二夹角均为135度。

5.根据权利要求2所述的反熔丝单元，其特征在于，所述基底还包括位于所述有源区之间的浅沟槽隔离结构；

6.根据权利要求4所述的反熔丝单元，其特征在于，所述基底还包括形成于所述有源区中的第二掺杂区、以及与所述第二掺杂区连...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈柏全，佘法爽，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：