半导体装置及其制造方法以及电力转换装置制造方法及图纸

半导体装置(1)具备半导体元件(10)、下方配线部件(20)以及上方配线部件(30)。半导体元件(10)包括具有主面(11a)的半导体元件主体(11)和金属层(12)。下方配线部件(20)包括端面(21)和端面(22)。在主面(11a)的平面图中，端面(21)以及端面(22)位于比半导体元件(10)的外缘(10e)靠内侧的位置。上方配线部件(30)层叠在下方配线部件(20)上。在主面(11a)的平面图中，上方配线部件(30)的一部分(33)位于比半导体元件(10)的外缘(10e)靠外侧的位置。上方配线部件(30)经由下方配线部件(20)与金属层(12)接合。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及半导体装置及其制造方法以及电力转换装置。

技术介绍

1、日本特表2017-522739号公报(专利文献1)公开了具备包括电极的半导体元件、铜箔以及铜线的半导体装置。在该半导体装置中，在半导体元件的电极和铜线之间配置有铜箔。具体而言，铜箔经由银系的烧结膏与半导体元件接合。铜线与铜箔键合。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特表2017-522739号公报

技术实现思路

1、专利技术要解决的课题

2、为了制造专利文献1的半导体装置，需要与键合铜线的工序完全不同的、使用银系的烧结膏将铜箔与半导体元件的电极接合的工序。因此，专利文献1的半导体装置的生产率低。本公开是鉴于上述课题而完成的，其第一方面的目的在于提供一种能够改善可靠性和生产率的半导体装置及其制造方法。本公开的第二方面的目的在于提供一种能够改善可靠性和生产率的电力转换装置。

3、用于解决课题的手段

4、本公开的半导体装置具备半导体元件、下方配线部件以及上方配线本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，其中，

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其中，

5.如权利要求4所述的半导体装置，其中，

6.如权利要求1～5中任一项所述的半导体装置，其中，

7.如权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其中，

8.如权利要求1～7中任一项所述的半导体装置，其中，

9.如权利要求1～8中任一项所述的半导体装置，其中，

10.如权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其中，...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体装置，其中，

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其中，

5.如权利要求4所述的半导体装置，其中，

6.如权利要求1～5中任一项所述的半导体装置，其中，

7.如权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其中，

8.如权利要求1～7中任一项所述的半导体装置，其中，<...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤祐司，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：