接合构造制造技术

本发明专利技术的接合构造将电子部件与配线基板接合而成，且自电子部件侧依序具备：包含与Sn形成金属间化合物的金属的第1金属层、由包含Sn的金属间化合物构成的金属间化合物层、及包含Sn的第2金属层，第2金属层的厚度为第1金属层、金属间化合物层及第2金属层的厚度的合计的50％以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术关于一种接合构造。

技术介绍

1、近年来，伴随着电子化发展，正在推进开发将电子部件安装于基板的技术。例如，关于微细的电子部件的组装，在此之前电子部件的端子采用金，在相对的配线基板侧将sn施以镀覆或薄膜成膜，并通过焊接或扩散接合来进行接合。在通过镀au及镀sn使电子部件与配线基板接合的情形时，存在于接合界面通过共晶反应而形成au与sn的金属间化合物的倾向。作为sn-au焊料的问题之一，可例举sn-au系金属间化合物的脆性。作为克服其脆性的方法，公开有一种使金属间化合物以接合截面的面积分率计为5～50％的比率分散的技术(例如专利文献1)。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本专利特开2003-286531号公报

技术实现思路

1、[专利技术所要解决的问题]

2、但，sn由于熔点低，故有于包含sn的合金内金属元素容易扩散的趋势。因此，分散有金属间化合物的组织存在如下问题：与sn形成金属间化合物的元素在包含sn的合金中扩散，在存在与sn形成金属本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种接合构造，其中，

2.如权利要求1所述的接合构造，其中，

3.如权利要求1所述的接合构造，其中，

4.如权利要求1所述的接合构造，其中，

5.如权利要求1所述的接合构造，其中，

6.如权利要求1所述的接合构造，其中，

7.一种接合构造，其中，

8.如权利要求7所述的接合构造，其中，

9.一种接合构造，其中，

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种接合构造，其中，

2.如权利要求1所述的接合构造，其中，

3.如权利要求1所述的接合构造，其中，

4.如权利要求1所述的接合构造，其中，

5.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：水户瀬智久，池部桐生，渡边贵志，堀田裕平，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：