一种基于不同阶的分数阶离散忆阻器的多稳定性电路制造技术

本发明专利技术公开一种基于不同阶的分数阶离散忆阻器的多稳定性电路，包括：第一分数阶离散忆阻器电路、第二分数阶离散忆阻器电路、第三分数阶离散忆阻器电路和分数阶Logistic映射电路。本发明专利技术的不同阶的分数阶离散忆阻器的阶数选取范围均为0‑1，不同阶数的引入使得分数阶离散忆阻器电路具有更灵活、丰富的动态特性和记忆性能，能够更好地适应不同系统的需求，并且基于不同阶的分数阶离散忆阻器的多稳定性电路具有初值调控，对称吸引子，振幅双向调控和偏移增强等复杂丰富的混沌特性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于混沌电路，尤其涉及一种基于不同阶的分数阶离散忆阻器的多稳定性电路。

技术介绍

1、纳米忆阻器的出现，有望实现非易失性随机存储器，能很好地存储和处理信息。后续研究中，忆阻器因其尺寸小、能耗低、高集成度和非易失性等特性，使其在非线性电路、神经网络、安全通信等诸多领域均有广泛的应用。

2、长期以来，对忆阻器的研究都是在连续域进行的，至于离散域，直到最近几年才开始讨论。传统的连续忆阻器通常能够在连续的时间和电平上工作，但在数字电路中的应用会受到限制，因为数字电路通常处理的是离散的信号和状态，而离散忆阻器因其电阻值只能取有限个离散值更容易集成到数字电路中，在离散域系统中得到应用。公开号为cn114822641a的中国专利技术专利公开一种离散忆阻器模拟电路及其设计方法，使用模拟电路实现了结合差分算子所构建的离散忆阻器，解决现有离散忆阻器等效电路精度有限的问题。公开号为cn117933323a的中国专利技术专利公开一种基于双离散忆阻器的映射方法，使用两个周期型离散忆阻器去构造两种新型的双忆阻器超混沌映射模型，提出一种简单的、可以基于忆阻器获得超本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于不同阶的分数阶离散忆阻器的多稳定性电路，其特征在于，包括：第一分数阶离散忆阻器电路、第二分数阶离散忆阻器电路、第三分数阶离散忆阻器电路和分数阶Logistic映射电路；第一分数阶离散忆阻器电路的阶次为、第二分数阶离散忆阻器电路的阶次为、第三分数阶离散忆阻器电路的阶次为；第一分数阶离散忆阻器电路用于产生混沌序列，第二分数阶离散忆阻器电路用于产生混沌序列，第三分数阶离散忆阻器电路用于产生混沌序列，分数阶Logistic映射电路用于产生混沌序列；其中，

2.如权利要求1所述的基于不同阶的分数阶离散忆阻器的多稳定性电路，其特征在于，

3.如权利要求2所述的基于...

【技术特征摘要】

1.一种基于不同阶的分数阶离散忆阻器的多稳定性电路，其特征在于，包括：第一分数阶离散忆阻器电路、第二分数阶离散忆阻器电路、第三分数阶离散忆阻器电路和分数阶logistic映射电路；第一分数阶离散忆阻器电路的阶次为、第二分数阶离散忆阻器电路的阶次为、第三分数阶离散忆阻器电路的阶次为；第一分数阶离散忆阻器电路用于产生混沌序列，第二分数阶离散忆阻器电路用于产生混沌序列，第三分数阶离散忆阻器电路用于产生混沌序列，分数阶logistic映射电路用于产生混沌序列；其中，

2.如权利要求1所述的基于不同阶的分数阶离散忆阻器的多稳定性电路，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁芝侠，李梦燕，李赛，王利恒，杨乐，
申请(专利权)人：武汉工程大学，
类型：发明
国别省市：