一种基于环振器结构的片上工艺角监测单元及方法技术

本发明专利技术涉及集成电路设计领域，提出了一种基于环振器结构的片上工艺角监测单元及方法，所述监测单元包括工艺感知模块和频率计数模块；所述工艺感知模块与频率计数模块信号连接，用于通过振荡器产生受工艺变化和温度变化影响的振荡信号；所述频率计数模块与工艺感知模块信号连接，用于对工艺感知模块输出的振荡信号进行计数和处理。通过使用环形振荡器的电路结构对制造后芯片的工艺情况进行测量，设计两个不同的环形振荡器电路，使两个振荡器温度特性相同但工艺灵敏度不同，使用频率做差的方法来消除测量结果的温度相关性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路设计领域，尤其涉及一种基于环振器结构的片上工艺角监测单元及方法。

技术介绍

1、随着半导体的发展，工艺的特征尺寸在逐步缩小，芯片的集成度不断提高，集成电路设计和制造的复杂度也在不断增大。当器件的特征尺寸进入纳米尺度后，工艺对器件性能会造成很大影响，严重制约了集成电路的性能、功耗和成品率等，为了感知工艺变化，工艺角监测器得到了广泛的研究。

2、传统的监测方法通常依赖外部设备，且忽视了温度对测量结果的影响，这不仅增加了监测单元的面积成本，还导致了由于温度变化引起的较大测量误差。

技术实现思路

1、有鉴于此，本专利技术提出了一种基于环振器结构的片上工艺角监测单元及方法，通过采用两个对工艺变化和温度敏感度不同的振荡器，进行对照实验，从而消除温度对测量结果的影响，精确监测工艺变化，解决了现有监测方法受温度变化影响较大的问题。

2、本专利技术的技术方案是这样实现的：一方面，本专利技术提供了一种基于环振器结构的片上工艺角监测单元，所述监测单元包括工艺感知模块和频率计数模块；...

【技术保护点】

1.一种基于环振器结构的片上工艺角监测单元，其特征在于，所述监测单元包括工艺感知模块(1)和频率计数模块(2)；

2.如权利要求1所述的基于环振器结构的片上工艺角监测单元，其特征在于，所述工艺感知模块(1)包括解复用器(11)、第一振荡器(12)、第二振荡器(13)、多路复用器(14)；

3.如权利要求2所述的基于环振器结构的片上工艺角监测单元，其特征在于，所述第一振荡器(12)包括多个第一延时单元；

4.如权利要求3所述的基于环振器结构的片上工艺角监测单元，其特征在于，所述第二振荡器(13)包括多个第二延时单元；

5.如权利要求4所述的基...

【技术特征摘要】

1.一种基于环振器结构的片上工艺角监测单元，其特征在于，所述监测单元包括工艺感知模块(1)和频率计数模块(2)；

2.如权利要求1所述的基于环振器结构的片上工艺角监测单元，其特征在于，所述工艺感知模块(1)包括解复用器(11)、第一振荡器(12)、第二振荡器(13)、多路复用器(14)；

3.如权利要求2所述的基于环振器结构的片上工艺角监测单元，其特征在于，所述第一振荡器(12)包括多个第一延时单元；

4.如权利要求3所述的基于环振器结构的片上工艺角监测单元，其特征在于，所述第二振荡器(13)包括多个第二延时单元；

5.如权利要求4所述的基于环振器结构的片上工艺角监测单元，其特征在于，所述nmos管n0采用宽长比为120:60的普通阈值晶体管，所述nmos管n1采用宽长比120:360的高阈值晶体管，所述pmos管采用宽长比为120:360的超高阈值晶体管；

6.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：于润泽，黎振豪，廖铖伟，
申请(专利权)人：武汉泰朴半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：