一种孪晶铜纳米线及其调控孪晶铜纳米线内孪晶片层形态的方法和用途技术

本发明专利技术提供一种孪晶铜纳米线及其调控孪晶铜纳米线内孪晶片层形态的方法和用途。所述方法包括以下步骤：将模板置于含有铜离子的电镀液中，而后利用电化学沉积技术沉积形成不同形态孪晶片层的孪晶铜纳米线，其中所述电镀液中含有硼酸。本发明专利技术提供的方法能够对孪晶铜纳米线内部的孪晶形态进行有效地调控，以此满足不同的应用需求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于孪晶铜材料，具体涉及一种孪晶铜纳米线及其调控孪晶铜纳米线内孪晶片层形态的方法和用途。

技术介绍

1、随着微电子技术的不断发展，微电子封装材料作为微电子器件的重要组成部分之一，其主要起到保护微电子器件(如集成电路芯片)，并提供电气连接、物理支撑和热管理的作用。铜由于具有优异的导电性能、抗电迁移特性以及成本低廉等优势，故被广泛应用于微电子互连材料领域。纳米孪晶铜是一种具有纳米尺度孪晶结构的铜材料，相较于普通铜，纳米孪晶铜展现出了更优异的电学性能和机械性能，使其在微电子封装领域中具有潜在的应用优势。

2、金属纳米线因其独特的一维结构和优异的电学性能、机械性能，在微电子和微机电系统(mems)领域展现出巨大的应用潜力。其中，铜纳米线具备良好的电导性、热传导性以及高催化活性，因此被广泛应用于电子、医药、传感器和(光)催化等领域。据文献报道，铜纳米线的制备方法包括溶剂热法、物理气相沉积法、化学气相沉积法、模板法、光刻法和分子束外延法等。然而，现有技术虽然公开了通过电化学沉积技术可以制备孪晶铜纳米线，但其无法实现铜纳米线内孪晶片层特定形态的调控本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种调控孪晶铜纳米线内孪晶片层形态的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电镀液中硼酸的浓度为0.1～12g/L，进一步优选为0.6～6g/L；

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述电化学沉积技术包括直流电沉积法或脉冲电沉积法中的至少一种；

4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

5.一种孪晶铜纳米线，其特征在于，所述孪晶铜纳米线是由根据权利要求1-4中任一项所述的调控孪晶铜纳米线内孪晶片层形态的方法制备得到的。p>

6.根据权...

【技术特征摘要】

1.一种调控孪晶铜纳米线内孪晶片层形态的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电镀液中硼酸的浓度为0.1～12g/l，进一步优选为0.6～6g/l；

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述电化学沉积技术包括直流电沉积法或脉冲电沉积法中的至少一种；

4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

5.一种孪晶铜纳米线，其特征在于，所述孪晶铜纳米线是由根据权利要求1-4中任一项所述的调控孪晶铜纳米线内孪晶片层形态的方法制备得到的。

6.根据权利要求5所述的孪晶铜纳米线，其特征在于，所述孪晶铜纳米线内孪晶片...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘志权，谌可馨，高丽茵，
申请(专利权)人：中国科学院深圳先进技术研究院，
类型：发明
国别省市：