Micro-LED外延片及其制备方法、Micro-LED技术

本发明专利技术公开了一种Micro‑LED外延片及其制备方法、Micro‑LED，涉及半导体光电器件领域。其中，Micro‑LED外延片依次包括衬底、缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、空穴输运层和P型半导体层；所述空穴输运层包括依次层叠于所述多量子阱层上的Al<subgt;α</subgt;Ga<subgt;1‑α</subgt;N层、B<subgt;β</subgt;Ga<subgt;1‑β</subgt;N层和AlN层；所述P型半导体层包括依次层叠于所述空穴输运层上的P型In<subgt;x</subgt;Ga<subgt;1‑x</subgt;N层、P型Al<subgt;y</subgt;Ga<subgt;1‑y</subgt;N层、P型GaN层和Ta<subgt;2</subgt;O<subgt;5</subgt;层。实施本发明专利技术，可提升Micro‑LED在低电流密度下的光效，提升其显示效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体光电器件领域，尤其涉及一种micro-led外延片及其制备方法、micro-led。

技术介绍

1、micro-led一般是指尺寸小于100μm的芯片，其性能优异，功耗低，是当前阶段可预见的多显示场景中最新、最佳的应用技术。但micro-led由于尺寸较小，导致其在应力、缺陷控制、波长控制等方面比普通的led芯片要求更高。用于显示的micro-led的工作电流密度一般在0.1~2a/cm2之间，在这种小电流密度下光效较低，其中一个主要原因是，多量子阱层内的空穴量较少，空穴、电子匹配程度较低，降低了发光效率。

技术实现思路

1、本专利技术所要解决的技术问题在于，提供一种micro-led外延片及其制备方法，其可提升小电流密度下的光效。

2、本专利技术还要解决的技术问题在于，提供一种micro-led。

3、为了解决上述问题，本专利技术公开了一种micro-led外延片，其包括衬底，依次层叠于衬底上的缓冲层、非掺杂gan层、n型gan层、多量子阱层、空穴输运层和p型半导本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种Micro-LED外延片，其特征在于，包括衬底，依次层叠于衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、空穴输运层和P型半导体层；

2. 如权利要求1所述的Micro-LED外延片，其特征在于，所述AlαGa1-αN层的厚度为5nm~10nm，α的取值范围为0.08~0.2；和/或

3. 如权利要求1所述的Micro-LED外延片，其特征在于，所述P型InxGa1-xN层的掺杂浓度为8×1019cm-3~1×1021cm-3，厚度为50nm~100nm，x的取值范围为0.01~0.1；和/或

4.如权利要求1~3任一项所述的Micr...

【技术特征摘要】

1.一种micro-led外延片，其特征在于，包括衬底，依次层叠于衬底上的缓冲层、非掺杂gan层、n型gan层、多量子阱层、空穴输运层和p型半导体层；

2. 如权利要求1所述的micro-led外延片，其特征在于，所述alαga1-αn层的厚度为5nm~10nm，α的取值范围为0.08~0.2；和/或

3. 如权利要求1所述的micro-led外延片，其特征在于，所述p型inxga1-xn层的掺杂浓度为8×1019cm-3~1×1021cm-3，厚度为50nm~100nm，x的取值范围为0.01~0.1；和/或

4.如权利要求1~3任一项所述的micro-led外延片，其特征在于，所述ta2o5层为β-ta2o5层；和/或

5.如权利要求1所述的micro-led外延片，其特征在于，所述aln层的厚度＜8nm；和/或

【专利技术属性】
技术研发人员：胡加辉，郑文杰，程龙，高虹，刘春杨，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：

全部详细技术资料下载 我是这个专利的主人