System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 弹性波器件及其制备方法技术_技高网

弹性波器件及其制备方法技术

技术编号:43238145 阅读:16 留言:0更新日期:2024-11-05 17:23
本发明专利技术涉及弹性波器件技术领域,特别涉及一种弹性波器件,其包括衬底、激励电极、罩部件和焊盘电极,衬底上具有连通的第一凹槽和第二凹槽,第二凹槽高于第一凹槽,激励电极设置在第一凹槽内,罩部件设置在第二凹槽内并覆盖在激励电极上方,罩部件与衬底的第一凹槽形成空腔,焊盘电极设置在衬底上并电连接激励电极,焊盘电极高于激励电极。借此设置,该弹性波器件具有小型化、低高度化的特性,且保障弹性波器件的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及弹性波器件,特别涉及一种弹性波器件及其制备方法


技术介绍

1、目前的移动电子设备中,已开始广泛使用了利用声表面波和体声波的弹性波装置。由于市场对电子设备的小型化、薄型化的要求日渐提升,因此,对于弹性波装置自身也在期望小型化、低高度化。然而,目前的晶圆级弹性波器件由于空腔结构的特殊性,需要通过多重材料分别制备空腔结构与罩部结构,因此材料间会有多个结合层,导致产品无法轻易小型化、低高度化。因此,如何使得弹性波器件实现小型化、低高度化已然成为本领域技术人员亟待解决的技术难点之一。

2、需要说明的是,公开于该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在增加对本专利技术的总体背景的理解,而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。


技术实现思路

1、本专利技术提供一种弹性波器件,其包括衬底、激励电极、罩部件和焊盘电极。衬底上具有第一凹槽和第二凹槽,第一凹槽连通第二凹槽,第二凹槽高于第一凹槽。激励电极设置在衬底的第一凹槽内。罩部件设置在衬底的第二凹槽内,并覆盖在激励电极上方,罩部件与衬底的第一凹槽形成空腔。焊盘电极设置在衬底上,焊盘电极电连接激励电极,焊盘电极高于激励电极。

2、本专利技术还提供一种弹性波器件的制备方法,其包括下列步骤:在衬底上开设第一凹槽和第二凹槽,第一凹槽连通第二凹槽,第二凹槽高于第一凹槽;将激励电极设置在衬底的第一凹槽内,激励电极的材料选自铝和铜构成的群组中的至少一种;在衬底上设置连接电极和焊盘电极,连接电极的两端分别连接激励电极和焊盘电极;在激励电极的表面覆盖电极保护层;将罩部件设置在衬底的第二凹槽内,罩部件覆盖在激励电极上方,罩部件与衬底的第一凹槽形成空腔,罩部件的上表面不高于衬底的上表面。

3、本专利技术提供的一种弹性波器件及其制备方法,通过在第一凹槽内设置激励电极,在第二凹槽上设置罩部件,在衬底的最上表面设置焊盘电极的方式,使得该弹性波器件具有小型化、低高度化的特性,且保障弹性波器件的可靠性。

4、本专利技术的其它特征和有益效果将在随后的说明书中阐述,并且,部分的技术特征和有益效果可以从说明书中显而易见地得出,或者是通过实施本专利技术而了解。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种弹性波器件,其特征在于:所述弹性波器件包括:

2.根据权利要求1所述的弹性波器件,其特征在于:所述罩部件的上表面不高于所述衬底的上表面。

3.根据权利要求1所述的弹性波器件,其特征在于:所述第一凹槽的深度小于所述第二凹槽的深度。

4.根据权利要求1所述的弹性波器件,其特征在于:所述第一凹槽的深度范围为5~25μm,所述第二凹槽的深度范围为10~50μm。

5.根据权利要求1所述的弹性波器件,其特征在于:所述第一凹槽的横向长度小于所述第二凹槽的横向长度,所述第一凹槽的横向长度与所述第二凹槽的横向长度的比值范围为1:1.05~1:1.5。

6.根据权利要求1所述的弹性波器件,其特征在于:所述弹性波器件还包括电极保护层,所述电极保护层覆盖所述激励电极,所述罩部件覆盖所述电极保护层。

7.根据权利要求1所述的弹性波器件,其特征在于:所述弹性波器件还包括连接电极,所述连接电极的两端分别连接所述激励电极和所述焊盘电极。

8.根据权利要求1所述的弹性波器件,其特征在于:所述弹性波器件还包括电极端子部和隔离金属层,所述隔离金属层设置在所述焊盘电极上,所述电极端子部设置在所述隔离金属层上。

9.根据权利要求1所述的弹性波器件,其特征在于:所述激励电极的材料选自铝和铜构成的群组中的至少一种。

10.一种弹性波器件的制备方法,其特征在于:所述制备方法包括下列步骤:

...

【技术特征摘要】

1.一种弹性波器件,其特征在于:所述弹性波器件包括:

2.根据权利要求1所述的弹性波器件,其特征在于:所述罩部件的上表面不高于所述衬底的上表面。

3.根据权利要求1所述的弹性波器件,其特征在于:所述第一凹槽的深度小于所述第二凹槽的深度。

4.根据权利要求1所述的弹性波器件,其特征在于:所述第一凹槽的深度范围为5~25μm,所述第二凹槽的深度范围为10~50μm。

5.根据权利要求1所述的弹性波器件,其特征在于:所述第一凹槽的横向长度小于所述第二凹槽的横向长度,所述第一凹槽的横向长度与所述第二凹槽的横向长度的比值范围为1:1.05~1:1.5。

6.根据权利要求1所述的弹性...

【专利技术属性】
技术研发人员:吴雁冬李岩
申请(专利权)人:泉州市三安集成电路有限公司
类型:发明
国别省市:

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