【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体制造，尤其涉及一种晶圆及其粗糙度的量测方法、装置、设备及介质。
技术介绍
1、作为芯片制造工艺所需的衬底，硅晶圆的表面形貌的粗糙度（均一程度）关系着芯片制造工艺中所制备的半导体器件的沟槽宽度的均一性以及多层堆叠结构的稳定性。
2、随着半导体器件的线宽不断缩小，器件结构不断向多层堆叠结构发展，对于硅晶圆的表面形貌的粗糙度要求也愈发严格，比如对更加微小的区域的粗糙度提出了严格的要求。因此，需要基于更加严格的粗糙度要求提出一种粗糙度的量测方法。
技术实现思路
1、本公开提供了一种晶圆及其粗糙度的量测方法、装置、设备及介质；针对更加严格的粗糙度要求提供了一种粗糙度评估方案，能够更加准确地评估晶圆的粗糙度。
2、本公开的技术方案是这样实现的：
3、第一方面，本公开提供了一种晶圆粗糙度的量测方法，所述量测方法包括：
4、对于待测晶圆的表面的每个采样点，通过单点量测方案获取每个采样点处关于晶圆表面高度的原始量测数据；
5、基于所...
【技术保护点】
1.一种晶圆粗糙度的量测方法，其特征在于，所述量测方法包括：
2.根据权利要求1所述的量测方法，其特征在于，所述目标波长范围包括：0至1.8微米波长、1.8至22微米波长以及22微米波长至20毫米波长中的至少一个波长范围。
3.根据权利要求1所述的量测方法，其特征在于，所述滤波器为圆形滤波器，并且由双高斯滤波函数组成；所述滤波器的作用范围的半径由所述采样点与所述待测晶圆中心的距离确定。
4.根据权利要求3所述的量测方法，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的量测方法，其特征在于，当所述采样点与所述待测晶圆中心的距离大于临...
【技术特征摘要】
1.一种晶圆粗糙度的量测方法，其特征在于，所述量测方法包括：
2.根据权利要求1所述的量测方法，其特征在于，所述目标波长范围包括：0至1.8微米波长、1.8至22微米波长以及22微米波长至20毫米波长中的至少一个波长范围。
3.根据权利要求1所述的量测方法，其特征在于，所述滤波器为圆形滤波器，并且由双高斯滤波函数组成；所述滤波器的作用范围的半径由所述采样点与所述待测晶圆中心的距离确定。
4.根据权利要求3所述的量测方法，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的量测方法，其特征在于，当所述采样点与所述待测晶圆中心的距离大于临界距离时，所述第二半径为小于第一半径的固定数值，或者，所述第二半径与所述采样点与所述待测晶圆中心的距离呈负相关关系。
6.根据权利要求1所述的量测方法，其特征在于，所述方法还包括：
7.根据权利要求7所述的量测方法，其特征在于，所述根据目标波长范围的上限以及当前工艺条件下高频出现表面形貌较差的位置确定采样点的数量，包括：
8.根据权利要求1至7任一项所述的方法，其特征在于，所述基于所有采样点在所述目标波长范围的波信号的振幅统计值确定所述待测晶圆在所述目标波长范围的粗糙度，包括...
【专利技术属性】
技术研发人员：李安杰，兰洵，张婉婉，苏鸿飞，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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