一体式清洗槽制造技术

本技术属于硅片清洁技术领域，提出一种一体式清洗槽，该一体式清洗槽包括第一槽体和第二槽体，第一槽体设置于第二槽体的内部，在向第一槽体的内部添加高浓度清洗液时，第一槽体内的低浓度清洗液与新添加的高浓度清洗液混合后的混合清洗液体积增加，部分混合清洗液能够向过渡容腔中转移，在转移的过程中，高浓度清洗液和低浓度清洗液能够进行混合，混合清洗液在转移到过渡容腔后，在第一斜面的作用下能够流向出液口，由于第一斜面的高度存在落差，一方面能够加快混合清洗液的流通速率，另一方面又能够进一步提高低浓度清洗液与高浓度清洗液之间的混合速率。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及硅片清洁，尤其涉及一种一体式清洗槽。

技术介绍

1、在光伏硅片的生产工艺中，每种硅片都需要进行酸洗、碱洗等清洁步骤，在对硅片清洁时，先将预设浓度的清洗液放置在清洗槽中，随着清洗过程的进行，清洁剂中的有效成分降低，使预设浓度的清洗液逐渐变为低浓度清洗液，在使用低浓度清洗液对硅片进行清理时，容易影响硅片的清洗效果，因此需要定时向清洗槽中添加高浓度清洗液以使清洗槽中的清洗液保持于预设浓度。

2、但是现有的清洗槽采用焊接方式拼接而成，整体结构死角多，可能会导致高浓度清洗液与低浓度清洗液混合速率降低，从而影响产能。

3、因此，上述问题亟待解决。

技术实现思路

1、本技术的目的在于提供一种一体式清洗槽，以提高低浓度清洗液与高浓度清洗液之间的混合速率。

2、为达此目的，本技术采用以下技术方案：

3、一体式清洗槽，包括：

4、第一槽体，所述第一槽体的内部设置有容腔；

5、第二槽体，所述第一槽体设置于所述第二槽体的内部，并且所述第二槽体与所述第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一体式清洗槽，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一体式清洗槽，其特征在于，所述第一槽体(1)包括多个第一侧壁(11)和第一底壁(12)，多个所述第一侧壁(11)首尾连接于所述第一底壁(12)的顶部，并且处于弯折处的相邻的两个第一侧壁(11)之间设置有圆倒角。

3.根据权利要求2所述的一体式清洗槽，其特征在于，所述第二槽体(2)包括第二底壁(22)和多个第二侧壁(21)，多个所述第二侧壁(21)首尾连接于所述第二底壁(22)的顶部，并且所述第二底壁(22)、多个所述第二侧壁(21)与多个所述第一侧壁(11)围构成所述过渡容腔(3)。

4.根...

【技术特征摘要】

1.一体式清洗槽，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一体式清洗槽，其特征在于，所述第一槽体(1)包括多个第一侧壁(11)和第一底壁(12)，多个所述第一侧壁(11)首尾连接于所述第一底壁(12)的顶部，并且处于弯折处的相邻的两个第一侧壁(11)之间设置有圆倒角。

3.根据权利要求2所述的一体式清洗槽，其特征在于，所述第二槽体(2)包括第二底壁(22)和多个第二侧壁(21)，多个所述第二侧壁(21)首尾连接于所述第二底壁(22)的顶部，并且所述第二底壁(22)、多个所述第二侧壁(21)与多个所述第一侧壁(11)围构成所述过渡容腔(3)。

4.根据权利要求3所述的一体式清洗槽，其特征在于，所述出液口(221)设置于所述第二底壁(22)的一侧。

5.根据权利要求4所述的一体式清洗槽，其特征在于，沿远离所述出液口(221)的方向，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘苏凯，蒋新，施利君，
申请(专利权)人：苏州晶洲装备科技有限公司，
类型：新型
国别省市：