基于谐波带宽拓展和提取的多频段低相噪振荡器制造技术

本发明专利技术公开了一种基于谐波带宽拓展和提取的多频段低相噪振荡器，该振荡器通过四个相互耦合的电感形成四线圈变压器，并与电容和交叉耦合对晶体管一起形成基频谐振腔、二次谐波谐振腔以及三次谐波谐振腔；同时，在每个谐振腔端对应添加了基频缓冲器、二次谐波缓冲器和三次谐波提取器，实现多频段低相噪振荡器。本发明专利技术通过四线圈变压器的特殊设计，拓展了二次谐波和三次谐波的阻抗宽度消除了谐波分量的校准，并且缩小了设计的面积，同时通过外加基频缓冲器，二次谐波缓冲器和三次谐波提取器实现了三个频段的低相噪输出，适用于多频段通信系统。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于集成电路，具体涉及一种基于谐波带宽拓展和提取的多频段低相噪振荡器。

技术介绍

1、近年来，覆盖28ghz、37ghz和39ghz频段以支持不同通信标准的多频段硅基5g系统变得越来越有吸引力。图1是用于5g系统的收发机架构示意图，该系统采用10-12ghz合成器，其频率倍增为2或3，以产生28或39ghz射频路径和4-6ghz中频的本地振荡器。

2、为了维持更高的数据速率，引入了更复杂的调制方案，这对本地振荡器的相位噪声提出了挑战性的要求。为了获得更好的性能，基于电感的压控振荡器(voltage-controlled oscillator，vco)由于其优越的噪声而被广泛使用。但是，它仍然受到电感的有限质量因子(q)和闪烁噪声上转换的限制。

3、目前，为了减轻闪烁噪声上转换的影响，采用谐波整形的f类压控振荡器得到了广泛研究。图2为现有class f23 vco的结构图和阻抗图。然而，该振荡器的谐波分量必须手动或通过额外的校准来调整以匹配基频，这是以额外的功率和设计复杂性为代价的。

4、因此，如何消除谐波分量的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于谐波带宽拓展和提取的多频段低相噪振荡器，其特征在于，包括四个相互耦合的电感LG、LD、L2nd、L3rd，电容CG,1、CG,2、CDM、CCM,1、CCM,2、C2nd,1、C2nd,2、C3rd，晶体管M1、M2，基频缓冲器，二次谐波缓冲器以及三次谐波提取器；其中，

2.根据权利要求1所述的基于谐波带宽拓展和提取的多频段低相噪振荡器，其特征在于，所述晶体管M1、M2采用交叉耦合的方式连接，为所述基频谐振腔、所述二次谐波谐振腔以及所述三次谐波谐振腔提供负阻，维持振荡器的振荡。

3.根据权利要求1所述的基于谐波带宽拓展和提取的多频段低相噪振荡器，其特征...

【技术特征摘要】

1.一种基于谐波带宽拓展和提取的多频段低相噪振荡器，其特征在于，包括四个相互耦合的电感lg、ld、l2nd、l3rd，电容cg,1、cg,2、cdm、ccm,1、ccm,2、c2nd,1、c2nd,2、c3rd，晶体管m1、m2，基频缓冲器，二次谐波缓冲器以及三次谐波提取器；其中，

2.根据权利要求1所述的基于谐波带宽拓展和提取的多频段低相噪振荡器，其特征在于，所述晶体管m1、m2采用交叉耦合的方式连接，为所述基频谐振腔、所述二次谐波谐振腔以及所述三次谐波谐振腔提供负阻，维持振荡器的振荡。

3.根据权利要求1所述的基于谐波带宽拓展和提取的多频段低相噪振荡器，其特征在于，所述电感lg、ld、l2nd、l3rd由m6、m8、m9以及ap层制作，并采用堆叠8字形结构，以形成四线圈变压器；其中，电感ld的电源线ct穿过堆叠8字形电感l2nd。

4.根据权利要求1所述的基于谐波带宽拓展和...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘术彬，高源，孙德鹏，步枫，丁瑞雪，朱樟明，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：