GPIO端口电路制造技术

技术编号:43163637 阅读:30 留言:0更新日期:2024-11-01 19:56
本申请公开了一种GPIO端口电路,包括:PAD端口、高电平输出驱动模块和低电平输出驱动模块,高电平输出驱动模块包括第一PMOS管和防倒灌电路,第一PMOS管的栅极用于输入第一控制信号,第一PMOS管的漏极连接PAD端口,第一PMOS管的源极连接防倒灌电路,防倒灌电路连接电源以用于防止PAD端口的输入信号倒灌入电源,以及用于使第一PMOS管导通时PAD端口输出高电平信号;低电平输出驱动模块包括NMOS管,NMOS管的栅极用于输入第二控制信号,NMOS管的漏极连接第一PMOS管的漏极,NMOS管的源极接地以用于使NMOS管导通时PAD端口输出低电平信号。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及集成电路,特别涉及一种gpio端口电路。


技术介绍

1、gpio即通用输入输出端口,为通用数字处理器的一种常用接口,可作为芯片输出端口,用于输出强驱动的高电平信号与低电平信号,也可作为芯片的输入端口,识别其它芯片输入至芯片端口的高电平信号和低电平信号。

2、在现有gpio设计方案中,如图1所示,由于输出电路与输入电路共用pad端口,输出电路结构通常使用pmos管输出高电平信号。在cmos工艺中,pmos管漏极与衬底端之间存在寄生二极管,而衬底端与电源短接,因此,当pad端口的输入信号电压高出电源电压一个寄生二极管导通阈值,会使pad端口与电源间的寄生二极管正向导通,引起pad端口对电源芯片的串扰,还存在烧毁电源芯片端口的风险,或是引发芯片闩锁,因此,通常gpio的输入电压范围不能超过电源的电压。


技术实现思路

1、本申请旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本申请提出一种gpio端口电路,能够解决传统的gpio输入电压范围不能超过电源的电压的问题。

<p>2、根据本申请实本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.GPIO端口电路,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的GPIO端口电路,其特征在于:所述防倒灌电路包括第二PMOS管,所述第一PMOS管的衬底端连接所述第一PMOS管的源极,所述第二PMOS管的衬底端连接所述第二PMOS管的漏极,所述第一PMOS管的源极连接所述第二PMOS管的源极,所述第二PMOS管的漏极连接所述电源,所述第二PMOS管的栅极连接所述第一PMOS管的栅极。

3.根据权利要求2所述的GPIO端口电路,其特征在于:所述防倒灌电路还包括开关,所述开关的一端连接所述第一PMOS管的栅极,所述开关的另一端连接所述第一PMOS管的源极。

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【技术特征摘要】

1.gpio端口电路,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的gpio端口电路,其特征在于:所述防倒灌电路包括第二pmos管,所述第一pmos管的衬底端连接所述第一pmos管的源极,所述第二pmos管的衬底端连接所述第二pmos管的漏极,所述第一pmos管的源极连接所述第二pmos管的源极,所述第二pmos管的漏极连接所述电源,所述第二pmos管的栅极连接所述第一pmos管的栅极。

3.根据权利要求2所述的gpio端口电路,其特征在于:所述防倒灌电路还包括开关,所述开关的一端连接所述第一pmos管的栅极,所述开关的另一端连接所述第一pmos管的源极。

4.根据权利要求3所述的gpio端口电路,其特征在于:还包括第一缓冲器,所述第一缓冲器包括第一反相器和第二反相器,所述开关为第三pmos管,所述第三pmos管的漏极连接所述第一pmos管的栅极,所述第三pmos管的源极连接所述第一pmos管的源极,所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:何龙林钊漳黄嵩人
申请(专利权)人:湖南进芯电子科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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