太阳能电池和太阳能电池的制备方法技术

技术编号:43164801 阅读:17 留言:0更新日期:2024-11-01 19:57
本申请提供了一种太阳能电池和太阳能电池的制备方法,该太阳能电池包括:硅基底,具有相对的向光侧和背光侧;轻掺杂区,位于向光侧和/或背光侧,轻掺杂区位于非金属区;第一掺杂区和第二掺杂区,沿第一方向交替排布在金属区,位于同一侧的第一掺杂区、第二掺杂区和轻掺杂区的掺杂类型相同,第一掺杂区的掺杂浓度大于位于同一侧的第二掺杂区的掺杂浓度、位于同一侧的轻掺杂区的掺杂浓度,其中,非金属区和金属区在第二方向上交替排列。本申请的太阳能电池和太阳能电池的制备方法能够平衡激光损伤与接触电阻,从而获得最优的电池效率。

【技术实现步骤摘要】

本申请主要涉及光伏,尤其涉及一种太阳能电池和太阳能电池的制备方法


技术介绍

1、太阳能电池中的选择性发射极可降低金属复合和接触电阻。采用激光增强接触优化技术(leco)后,副栅线与硅之间的接触效率大幅提升,金属复合和接触电阻进一步降低。但激光会引入的激光损伤层,损伤层带来的损伤复合反而导致电池效率降低。因此如何在降低接触电阻的同时避免(或减少)激光损伤是本领域内的重要研究方向之一。


技术实现思路

1、本申请要解决的技术问题是提供一种太阳能电池和太阳能电池的制备方法,该太阳能电池和太阳能电池的制备方法能够平衡激光损伤与接触电阻,从而获得最优的电池效率。

2、为解决上述技术问题,本申请提供了一种太阳能电池,包括:硅基底,具有相对的向光侧和背光侧;轻掺杂区,位于所述向光侧和/或所述背光侧,所述轻掺杂区位于非金属区;第一掺杂区和第二掺杂区,沿第一方向交替排布在金属区,位于同一侧的第一掺杂区、第二掺杂区和轻掺杂区的掺杂类型相同,所述第一掺杂区的掺杂浓度大于位于同一侧的第二掺杂区的掺杂浓度、位于同一侧的轻掺本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种太阳能电池,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述第二掺杂区的掺杂浓度等于或大于所述轻掺杂区的掺杂浓度。

3.如权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间的长度比值等于或大于1:100。

4.如权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述第一掺杂区的方阻小于位于同一侧的第二掺杂区的方阻、位于同一侧的轻掺杂区的方阻,其中,所述轻掺杂区的方阻大于200ohm/sq。

5.如权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,若所述第二掺杂区与所述第一掺杂区之间的方阻差值小于50ohm/...

【技术特征摘要】

1.一种太阳能电池,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述第二掺杂区的掺杂浓度等于或大于所述轻掺杂区的掺杂浓度。

3.如权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间的长度比值等于或大于1:100。

4.如权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述第一掺杂区的方阻小于位于同一侧的第二掺杂区的方阻、位于同一侧的轻掺杂区的方阻,其中,所述轻掺杂区的方阻大于200ohm/sq。

5.如权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,若所述第二掺杂区与所述第一掺杂区之间的方阻差值小于50ohm/sq,则所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间的长度比值为1:1~1:100,若所述第二掺杂区与所述第一掺杂区之间的方阻差值大于50ohm/sq,则所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间的长度比值为1:10~1:0.01。

6.如权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘成法吕东芸
申请(专利权)人:天合光能股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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