一种半导体用高压自成形膜片阀制造技术

本发明专利技术涉及膜片阀技术领域，具体公开了一种半导体用高压自成形膜片阀，包括与管道连接的阀体，所述阀体内设置有凹腔和第一L型阀道以及第二L型阀道，所述第一L型阀道通过凹腔与第二L型阀道连通，所述凹腔内活动设置有阀杆，所述阀体上螺纹连接有六角螺母，所述六角螺母的内围边贯穿有与阀杆滑动连接的压帽，所述压帽与阀体之间压紧有上膜片和下膜片；本发明专利技术相比较传统的无挠度变化的膜片阀，本膜片阀利用高压膜片自成形方式保障了阀体破空操作的进行，使上膜片和下膜片的挠度得以改变，也有助于延长膜片的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及膜片阀，特别是涉及一种半导体用高压自成形膜片阀。

技术介绍

1、在半导体制程工业中，芯片生产要经历几百道工序，就会用到大量特殊气体。这些特殊气体需要用从气瓶传输到管道，再从管道运输到工序步骤中进行应用，这其中就需要利用到膜片阀。

2、传统的膜片与阀芯的连接关系分为两种，接触一体式和非接触式，接触一体式是阀芯的底部与膜片嵌接，两者为一体结构，膜片随着阀芯的移动而移动，但这种阀芯膜片接触一体式工艺较为繁琐，在膜片更换时，其拆装操作繁琐，且成本较高；非接触式的阀芯膜片是利用自身弹性效果好的膜片配合阀芯使用，当无需密封时，膜片会在自身弹性作用下跟随阀芯位移，使阀道畅通，然而，这种非接触膜片在半导体制作工艺的应用中会涉及抽真空(破空)操作，就使得该非接触膜片自然弹形小于虹吸力，会发生膜片堵塞密封阀道的情况，影响阀体进行抽真空操作

3、因此，我们提供一种半导体用高压自成形膜片阀，以解决上述问题。

技术实现思路

1、(一)要解决的技术问题

2、本专利技术所要解决的问题是提供本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体用高压自成形膜片阀，包括与管道连接的阀体(10)，其特征在于：所述阀体(10)内设置有凹腔(14)和第一L型阀道(11)以及第二L型阀道(12)，所述第一L型阀道(11)通过凹腔(14)与第二L型阀道(12)连通，所述凹腔(14)内活动设置有阀杆(5)，所述阀体(10)上螺纹连接有六角螺母(9)，所述六角螺母(9)的内围边贯穿有与阀杆(5)滑动连接的压帽(6)，所述压帽(6)与阀体(10)之间压紧有上膜片(7)和下膜片(8)；

2.如权利要求1所述的半导体用高压自成形膜片阀，其特征在于：所述阀体(10)的上部设置有靠近凹腔(14)的台阶，所述下膜片(8)的外围边...

【技术特征摘要】

1.一种半导体用高压自成形膜片阀，包括与管道连接的阀体(10)，其特征在于：所述阀体(10)内设置有凹腔(14)和第一l型阀道(11)以及第二l型阀道(12)，所述第一l型阀道(11)通过凹腔(14)与第二l型阀道(12)连通，所述凹腔(14)内活动设置有阀杆(5)，所述阀体(10)上螺纹连接有六角螺母(9)，所述六角螺母(9)的内围边贯穿有与阀杆(5)滑动连接的压帽(6)，所述压帽(6)与阀体(10)之间压紧有上膜片(7)和下膜片(8)；

2.如权利要求1所述的半导体用高压自成形膜片阀，其特征在于：所述阀体(10)的上部设置有靠近凹腔(14)的台阶，所述下膜片(8)的外围边置于台阶上，所述压帽(6)的下端设置有与台阶配合的抵凸，所述压帽(6)的抵凸压在上膜片(7)的外围边上。

3.如权利要求1所述的半导体用高压自成形膜片阀，其特征在于：所述阀杆(5)的外围边与压帽(6)的内壁滑动连接，所述阀杆(5)上设置有第二o型圈(502)，所述阀芯(501)的直径小于阀杆(5)的直径。

4.如权利要求1所述的半导体用高压自成形膜片阀，其特征在于：所述阀体(10)处于关闭时，所述阀芯(501)将上膜片(7)和下膜片(8)抵压在配合部(13)上，所述第一l型阀道(11)和第二l型阀道(12)被下膜片(8)封堵。

5.如权利要求1所述的半导体用高压自成形膜片阀，其特征在于：所述阀体(10)处于开启时，所述阀芯(501)和上膜片(7)以及下膜片(8...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨波，
申请(专利权)人：科哲上海阀门有限公司，
类型：发明
国别省市：