一种无籽西瓜扦插繁殖方法技术

本发明专利技术公开了一种无籽西瓜扦插繁殖方法，其步骤是：Ａ、插条来源；Ｂ、扦插圃准备；Ｃ、采蔓；Ｄ、扦插；Ｅ、盖膜；Ｆ、扦插后管理。本发明专利技术操作简便，方法易行，加快繁殖速度，提高成活率，缩短生长周期，降低了无籽西瓜生产成本，避免了无籽西瓜有性繁殖育苗过程中发芽率低、成苗率低等问题，拓宽了扦插繁殖法的应用领域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属植物无性繁殖
，更具体涉及一种无籽西瓜枝蔓扦插繁殖方法，适用于不同瓜类作物(如有籽西瓜、甜瓜、黄瓜及苦瓜等)扦插繁殖。
技术介绍
扦插是人们把切断的一段植物枝条(有时是一段根、芽或其他营养器官)的基部 插入基质(插壤)中，使基部产生不定根，上部发出不定芽，形成一个独立生长的个体。早 在三、四千年前，我们的祖先就探索了扦插技术。随着技术的改进，广泛地应用于农业生产， 成为无性繁殖的重要手段。 无籽西瓜含糖量高，食用性好，商品价值高，增产潜力大。无籽西瓜是三倍体杂交 种，它是由四倍体西瓜作母本，二倍体西瓜作父本进行杂交而产生的一代杂种，具有明显的 杂种优势，表现为生长旺盛，叶片肥厚，枝蔓粗大，营养体超过二倍体和四倍体，但其制种子 程序复杂，需在气候炎热干燥、日照充足，昼夜温差大的地方生产，且种子产量极少；又因种 子较大，种皮厚而硬，口紧，种胚发育不良导致发芽率低；幼苗出土后，子叶较小，且生长不 对称，生长力弱，成苗率低；以上三因素致使无籽西瓜育种成本非常高。为克服无籽西瓜有 性繁殖过程中育种难、发芽率低、成苗率低、成本高等困难，本专利技术选用优良无籽西瓜的母 株进行无性扦插繁殖，可降低无籽西瓜生产成本、縮短周期、加快繁殖速度，为今后推广和 发展优良无籽西瓜品种提供了新的途径。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供了，成本低廉，繁殖速度快，成 活率高，操作简便，方法易行，避免了无籽西瓜有性繁殖过程中发芽率低、成苗率低的难题。 为了实现上述的目的，本专利技术采用包括插条来源、扦插圃准备、采蔓、扦插、盖膜及 扦插后管理等技术措施 —种无籽西瓜扦插繁殖方法，其步骤是 (1)插条来源 采摘露地、保护地或其它早熟栽培的无籽西瓜枝蔓，剪成插条即可。 (2)扦插圃准备 开沟整畦，将草炭、珍珠岩和沙等三种基质按照表1的体积比均匀混拌，且均经过80 9(TC高温蒸汽消毒。每立方基质加入lkg氮磷钾复合肥，充分混拌均匀，保湿覆盖 焖制。同时准备好架棚的竹片、农膜、草帘等。扦插畦设在小拱棚内，以便起到保温(25 30°C )、保湿(60 70% )、防风及遮荫等作用。畦宽1. 2 1. 5m、长8 12m、深0. 20 0. 25m。 所述的畦面营养土配制是 表1畦面营养土配制范围原料 体积百分比(％)草炭 60 70珍珠岩 15 20沙 15 20 (3)采蔓 先将采蔓刀或剪刀用75% (浓度比)酒精消毒，然后从无籽西瓜母株上采蔓后，放 入盛水的容器内，以防失水萎蔫。采蔓时要尽量选择基部蔓切段，并保留适当的叶片数。 (4)扦插 扦插前先将基质浇透水再将采集的西瓜蔓切成每根带有2 3片叶的小段，并将 每段基部的一片叶连同叶柄切去，下切口削成马蹄形，即可进行扦插。(如有苞叶、巻须、花 蕾等也应切去，但要保留茎节，以利产生不定根。)扦插时瓜蔓与畦面呈45度倾角，深度为 3. 0cm左右。 (5)盖膜: 盖膜前先用小竹竿扎好拱型骨架，待每畦扦插完毕立即覆盖塑料薄膜，以保温 (25 30°C )、保湿(60 70% )和防风。 (6)扦插后管理 遮荫插后3天内要在塑料拱棚上加盖草帘遮荫，防止阳光直射。第4 6天，只在 中午前后进行遮荫，7天以后则不需再遮荫；温度管理可通过塑料薄膜和草帘揭盖时间的长短进行调节温度，插蔓后畦内表土下2厘米处地温最好保持在白天28 32°C ，夜间20 22°C，以利生根；湿度管理插蔓后1 3天，畦内相对湿度应保持在95 99%，4 6天 降为90 95%，7 10天降为85 90%， 10天以后再降为80 85%，直至移栽定植；叶 面喷肥插蔓后3天内，每天上午和下午各喷一次0.3% (浓度比)尿素及磷酸二氢钾，进 行叶面施肥，以供给叶面光合作用所需的水分及矿物质；浇生根液插蔓后1 7天内，每 隔1 2天，用"3721生根液"(郑州标典化工有限公司提供)稀释100倍在插蔓基部喷一 次，以浇透为准；炼苗和移栽定植插蔓后15 20天，插条基部就能发生许多不定根，这时 即可进行炼苗和大田的移栽定植，管理措施与普通栽培相同。 本专利技术的优点和效果 本专利技术利用无籽西瓜茎蔓切段扦插繁殖，避免了无籽西瓜有性繁殖中发芽率低、 成苗率低的难题，降低了无籽西瓜的生产成本。本专利技术为无籽西瓜提供一种投资少、操作简 单、繁殖率高的扦插繁殖方法，同时也可为保存无籽西瓜种质资源的一种特殊方法，用于某 些珍贵稀有品质种质资源的保存。具体实施例方式以下用无籽西瓜扦插繁殖对本专利技术做进一步描述 实施例1 : —种无籽西瓜扦插繁殖方法，本专利技术包括插条来源、扦插圃准备、采蔓、扦插、盖膜 及扦插后管理等操作步骤。 —种无籽西瓜扦插繁殖方法，其步骤是 (1)插条来源 采摘塑料大棚保护地栽培的无籽西瓜枝蔓，剪成插条。 (2)扦插圃准备 开沟整畦，将草炭、珍珠岩和沙等三种基质，按照四种不同体积配比后均匀混拌(见表1)，编号分别为A" A2、 A3及A4，均经过80。C或81。C或82。C或83。C或84。C或85。C高温蒸汽消毒后混匀。每立方基质加入lkg氮磷钾复合肥，充分混拌均匀，保湿覆盖焖制。扦插畦设在小拱棚内，以便保温、保湿和防风遮荫等。畦宽1. 2、长8m、深0. 25m。 所述的畦面营养土配制见表1 : 表l畦面营养土四种不同配制方式单位(％)原料 A!体积百分比A2体积百分比 A3体积百分比 AW本积百分比 草炭 64 66 67 70珍珠岩 18 15 16 15沙 18 19 17 15 (3)采蔓 先将采蔓刀或剪刀用75% (浓度比)酒精消毒，然后从母株上采蔓放入盛水的容 器内，以防失水萎蔫。采蔓时要尽量选择基部蔓切段，并保留适当的叶片数。 (4)扦插 扦插前先将基质浇透水再将采集的西瓜蔓切成每根带有2 3片叶的小段，并将 每段基部的一片叶连同叶柄切去，下切口削成马蹄形，即可进行扦插。(如有苞叶、巻须、花 蕾等也应切去，但要保留茎节，以利产生不定根。)扦插时瓜蔓与畦面呈45。倾角，深度为 3. Ocm左右。 (5)盖膜 盖膜前先用小竹竿扎好覆盖塑料膜时拱型骨架，方法与建小拱棚育苗苗床相同。 每畦扦插完毕立即覆盖塑料薄膜，以保温(25。C或26。C或27。C或28。C)、保湿(60%或63% 或65%或67%或69% )和防风。 (6)扦插后管理 遮荫插后3天内要在塑料拱棚上加盖草帘遮荫，防止阳光直射。第4 6天，只在 中午前后进行遮荫，7天以后则不需再遮荫；温度管理可通过塑料薄膜和草帘揭盖时间的 长短进行调节温度，插蔓后畦内表土下2cm处地温最好在白天28t:或29t:或3(TC或31°C 或32t:，夜间2(TC或2rC或22°C，以利生根；湿度管理插蔓后1 3天，畦内相对湿度应 在95%或96%或97%或98%或99%或100%，4 6天降为90%或91 %或92%或93% 或94%或95%，7 IO天降为85%或86%或87%或88%或89%或90%，10天以后再降 为80%或81%或82%或83%或84%或85%，直至移栽定植；叶面喷肥插蔓后3天内，每 天上午和下午各喷一次0. 3% (浓度比)尿素及磷酸二氢钾，进行叶面施肥，以供给叶面光 合作用所需的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种无籽西瓜扦插繁殖方法，其步骤是：Ａ、插条来源：采摘露地或早熟保护地栽培的无籽西瓜枝蔓，剪成插条；Ｂ、扦插圃准备：开沟整畦，将草炭、珍珠岩和沙三种基质均经过８０～９０℃蒸汽消毒，每立方基质加入１ｋｇ氮磷钾复合肥，混拌均匀，保湿覆盖焖制，同时准备好架棚的竹片、农膜、草帘，扦插畦设在小拱棚内，保温、保湿、防风及遮荫，畦宽１．２～１．５ｍ、长８～１２ｍ、深０．２０～０．２５ｍ；Ｃ、采蔓：先将采蔓刀或剪刀用７５％浓度比酒精消毒，从无籽西瓜母株上采蔓后，放入盛水的容器内，采蔓时选择基部蔓切段，保留叶片数；Ｄ、扦插：扦插前先将基质浇透水，再将采集的西瓜蔓切成每根带有２～３片叶的小段，并将每段基部的一片叶连同叶柄切去，下切口削成马蹄形，进行扦插，扦插时瓜蔓与畦面呈４５度倾角，深度为３．０ｃｍ；Ｅ、盖膜：盖膜前先用竹竿扎好覆盖塑料膜时拱型骨架，每畦扦插完毕后覆盖塑料薄膜，起到保温、保湿和防风作用；Ｆ、扦插后管理：遮荫：插后３天内在塑料拱棚上加盖草帘遮荫，第４～６天，只在中午前后进行遮荫，７天以后不需再遮荫；温度管理：可通过塑料薄膜和草帘揭盖时间的长短进行调节温度，插蔓后畦内表土下２ｃｍ处地温保持在白天２８～３２℃，夜间２０～２２℃；湿度管理：插蔓后１～３天，畦内相对湿度在９５～９９％，４～６天降为９０～９５％，７～１０天降为８５～９０％，１０天以后再降为８０～８５％，直至移栽定植；叶面喷肥：插蔓后３天内，每天上午和下午各喷一次０．３％浓度比尿素及磷酸二氢钾，进行叶面施肥；浇生根液：插蔓后１～７天内，每隔１～２天，用“３７２１生根液”稀释１００倍在插蔓基部喷一次；炼苗和移栽定植：插蔓后１５～２０天，插条基部发生不定根，进行炼苗和大田的移栽定植。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：施先锋，童正富，王宏太，李煜华，陈兵，
申请(专利权)人：武汉市农业科学研究所，
类型：发明
国别省市：83[中国|武汉]