一种菊花栽培方法技术

本发明专利技术涉及一种免扦插环节的菊花栽培方法，主要包括准备插穗母株、整地做畦、畦面开沟、插穗采集、沟底定植、覆膜揭膜、平沟壅土，用于满足简化菊花繁殖流程、节约成本、节约生产时间的需要，该菊花栽植过程中，扦插阶段与移栽过程合二为一方面均有独到之处，通过对以未生根菊花插穗直接大田定植，可以解决菊花种苗生长周期长、移栽缓苗期长、移栽过程出现机械损伤的问题，既节省了时间，又可保证菊花苗全苗旺，该栽植过程方便、简单、经济，能够节省大量时间，是一种简单高效的菊花栽培方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及植物栽培，尤其涉及一种免扦插环节的菊花栽培方法。
技术介绍
菊花是一种应用广泛的花卉材料，其应用涉及到园林、制药、茶业、香料等产业，应用广泛，栽培面积极大，需要大量菊花种苗。目前，菊花的繁殖一般以扦插为主。传统菊花扦插一般需配备专门的扦插床，整个过程大体上分为扦插与移栽两部分，其中扦插阶段历时约15-20天，且生根后移栽过程中不可避免地有一定比例的损失，且存在较长时间的缓苗期，其扦插程序复杂多样，在繁育的过程中受到较多不可控因素影响，增加了菊花繁育成本。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种免扦插环节的菊花栽培方法，以省去繁琐的扦插过程与移栽缓苗期，提高菊花繁育的成活率。为解决上述技术问题，本专利技术方案包括：一种免扦插环节的菊花栽培方法，其包括以下步骤：A、采集插穗：当菊花之采穗母株周围的孽芽长至15cm时，剪取孽芽上部带顶芽且长度为10cm的枝条作为插穗；B、整地做畦：选择去年入冬前深耕的砂质壤土，在3月中下旬做高畦，畦高25-30cm，畦面宽30cm，两畦间距90-100cm，做单行栽植；C、畦面开沟：在畦面开沟，沟深15cm，沟底部夹角为30°-45°，往沟的中心部位浇水，并以冲不倒两侧沟堰为准；D、沟底定植：当沟底水完全渗下后，选择直径粗于插穗的木棍，在沟底插孔，将插穗直接插入孔内，插穗入土深度约占插穗长度的2/3，株间距为10cm；>E、覆膜：在畦面覆盖塑料薄膜，薄膜的两端及两侧压实；F、揭膜：插穗定植与覆盖塑料薄膜10天后，在塑料薄膜上用木棍进行不规则打孔，当70％以上插穗顶部叶片达到塑料薄膜下表面时，则渐次揭掉塑料薄膜，此时菊花幼苗根系已经发育完整；G、平沟壅土：当菊花苗顶端叶片高于沟堰以上5cm时，向内平沟壅土，即转入菊花正常的田间管理。所述的菊花栽培方法，其中，在步骤A之前还包括：菊花开花期间标记对应采穗母株，待花谢后，距土面15cm处，将采穗母株平茬，平茬母株可原地不动，浇足一次冬水，以落叶、草帘、薄膜或糠灰覆盖防冻保暖，仅茎杆上端3cm外露，要保持对应采穗母株不干不湿、不热不冻、不抽嫩芽的正常休眠状态。本专利技术提供的一种免扦插环节的菊花栽培方法，在菊花栽植过程中将扦插阶段与移栽过程合二为一，通过对以未生根菊花插穗直接大田定植，可以解决菊花种苗生长周期长、移栽缓苗期长、移栽过程出现机械损伤的问题，既节省了时间，又可保证菊花苗全苗旺，省去了繁琐的扦插过程，没有移栽缓苗期，成苗率达到98％以上，比传统扦插-移栽方式繁育菊花的成活率提高5％-10％，保证了苗全苗壮，而且由于没有专门的扦插过程，节省了时间，节约了生产成本。附图说明图1为本专利技术中菊花栽培高畦的示意图；图2为本专利技术中是畦面开沟及浇水的示意图；图3是本专利技术中未生根插穗直接定植沟底的示意图；图4为本专利技术中70％以上幼苗顶部叶片到达薄膜渐行揭膜的示意图；图5为本专利技术中是平沟壅土的示意图；图6为本专利技术中是转入正常田间管理的示意图。具体实施方式本专利技术提供了一种免扦插环节的菊花栽培方法，为使本专利技术的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本专利技术进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。本专利技术提供了一种免扦插环节的菊花栽培方法，其包括以下步骤：采集插穗：当菊花之采穗母株周围的孽芽长至15cm时，剪取孽芽上部带顶芽且长度为10cm的枝条作为插穗；整地做畦：选择去年入冬前深耕的砂质壤土，在3月中下旬做高畦，畦高25-30cm，畦面宽30cm，两畦间距90-100cm，做单行栽植；畦面开沟：在畦面开沟，沟深15cm，沟的底部夹角为30°-45°，往沟的中心部位浇水，并以冲不倒两侧沟堰为准；沟底定植：当沟底水完全渗下后，选择直径粗于插穗的木棍，在沟底插孔，将插穗直接插入孔内，插穗入土深度约占插穗长度的2/3，株间距为10cm；覆膜：在畦面覆盖塑料薄膜，薄膜的两端及两侧压实；揭膜：插穗与覆盖塑料薄膜10天后，在塑料薄膜上用木棍进行不规则打孔，当70％以上插穗顶部叶片达到塑料薄膜下表面时，则渐次揭掉塑料薄膜，此时菊花幼苗根系已经发育完整；平沟壅土：当菊花苗顶端叶片高于沟堰以上5cm时，向内平沟壅土，即转入菊花正常的田间管理。当然在插穗采集时，更为具体的是：菊花开花期间标记对应采穗母株，待花谢后，距土面15cm处，将采穗母株平茬，平茬母株可原地不动，浇足一次冬水，以落叶、草帘、薄膜或糠灰覆盖防冻保暖，仅茎杆上端3cm外露，要保持对应采穗母株不干不湿、不热不冻、不抽嫩芽的正常休眠状态，等待采穗母株之孽芽的生长。为了更进一步的描述本专利技术，以下列举更为详尽的说明。(1)准备采穗母株：采穗母株的选择与保存如常法。菊花开花期间根据品种要求选择采穗母株进行挂牌标记，不采花，花谢后，距土面15cm处，将采穗母株平茬。平茬母株可原地不动，浇足一次冬水，以落叶、草帘、薄膜、糠灰等覆盖防冻保暖，仅茎杆上端3cm外露，有利于植株呼吸；也可将整个根系全部挖出，将腐烂枯焦须根修剪清理干净，移入大棚中集中越冬。越冬期间注意温度要在5℃以下，要保持不干不湿、不热不冻、不抽嫩芽的正常休眠状态，最忌棚温过高，土壤积水。(2)整地做畦：如图1所示的，选择砂质壤土，于去年入冬前施入足量充分腐熟有机肥并深耕，翌年3月中下旬做高畦，畦高25-30cm，畦面宽30cm，两畦距离90-100cm，做单行栽植，畦长任意。要求畦面平整，无砖头瓦砾，无大的土坷垃。(亦可畦面宽50cm，两畦距离120cm，每畦做双行栽植。)(3)畦面开沟：如图2所示的，在畦面开沟，沟深15cm，沟呈“V”字形，用塑料软管向沟底部中心部位浇水，尽量避免冲垮两侧沟堰，待水完全渗下后即可定植未生根插穗。(4)采集插穗：当采穗母株周围的孽芽长至15cm，剪取孽芽上部带顶芽10cm作为插穗，剪去穗条下部2/3以下的叶子，仅保留顶芽及上部1/3处以上的叶子。每100条穗条捆扎后置于800倍可溶性百菌清溶液中浸泡5分钟，后将穗条基部1/3浸入IBA1500μL/L+NAA800μL/L溶液中浸泡5s，沥干水分备用。(5)沟底定植：如图3所示的，当沟底水完全渗下后，选择直径稍粗于穗条的木棍，在沟底插孔，将穗条直接插入孔中，穗条入土深度约占穗条长度的2/3，轻轻按压穗条周围土壤，以使其与土壤本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种免扦插环节的菊花栽培方法，其包括以下步骤：A、采集插穗：当菊花之采穗母株周围的孽芽长至15cm时，剪取孽芽上部带顶芽且长度为10cm的枝条作为插穗；B、整地做畦：选择去年入冬前深耕的砂质壤土，在3月中下旬做高畦，畦高25‑30cm，畦面宽30cm，两畦间距90‑100cm，做单行栽植；C、畦面开沟：在畦面开沟，沟深15cm，沟底部夹角为30°‑45°，往沟的中心部位浇水，并以冲不倒两侧沟堰为准；D、沟底定植：当沟底水完全渗下后，选择直径粗于插穗的木棍，在沟底插孔，将插穗直接插入孔内，插穗入土深度约占插穗长度的2/3，株间距为10cm；E、覆膜：在畦面覆盖塑料薄膜，薄膜的两端及两侧压实；F、揭膜：插穗定植与覆盖塑料薄膜10天后，在塑料薄膜上用木棍进行不规则打孔，当70％以上插穗顶部叶片达到塑料薄膜下表面时，则渐次揭掉塑料薄膜，此时菊花幼苗根系已经发育完整；G、平沟壅土：当菊花苗顶端叶片高于沟堰以上5cm时，向内平沟壅土，即转入菊花正常的田间管理。

【技术特征摘要】
1.一种免扦插环节的菊花栽培方法，其包括以下步骤：
A、采集插穗：当菊花之采穗母株周围的孽芽长至15cm时，剪取孽芽上部带顶芽且长度
为10cm的枝条作为插穗；
B、整地做畦：选择去年入冬前深耕的砂质壤土，在3月中下旬做高畦，畦高25-30cm，
畦面宽30cm，两畦间距90-100cm，做单行栽植；
C、畦面开沟：在畦面开沟，沟深15cm，沟底部夹角为30°-45°，往沟的中心部位浇水，
并以冲不倒两侧沟堰为准；
D、沟底定植：当沟底水完全渗下后，选择直径粗于插穗的木棍，在沟底插孔，将插穗直
接插入孔内，插穗入土深度约占插穗长度的2/3，株间距为10cm；
E、覆膜：在畦面覆盖塑料薄膜，薄膜的...

【专利技术属性】
技术研发人员：王奎玲，郭霄，刘庆超，
申请(专利权)人：青岛农业大学，
类型：发明
国别省市：山东;37