【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利申请一般涉及集成电路(integrated circuit，ic)互连制造，更具体地说，涉及通过镶嵌光刻工艺(damascene lithography)在晶粒(die)与封装之间产生基于铜的高密度、小尺寸的互连。
技术介绍
1、在ic封装中使用各种互连系统来提供在包括电路的晶粒与用于ic的封装之间的电连接。由于尺寸和材料特性，互连系统可能是在ic中的功率消耗、热产生和信号延迟的主要部件。例如，长且卷曲(convoluted)的连接、材料阻抗不匹配(当使用多种导电材料时)可能会导致更高的功耗和热产生。过多的热可能会劣化集成电路的性能。
2、随着对ic的更多功能和更高密度的需求增加，开发了诸如晶圆到晶圆(wafer-to-wafer，w2w)的互连系统。然而，这些较新的系统易受对准问题、成本较高等的影响，而仍使用一些旧技术，诸如传统的焊球(solder ball)或柱连接。
技术实现思路
1、根据本公开的第一方面，提供了一种制造用于集成电路(ic)的互连系统的方法，该方法包...
【技术保护点】
1.一种制造用于集成电路(IC)的互连系统的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，用所述第一光刻胶层处理所述基板包括：
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，沉积所述阻障层包括：
4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，使所述第一铜层和部分所述阻障层平坦化包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其中，在所述基板、所述铜阱和所述互连芯部的暴露部分上方沉积第二铜层包括：
6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，移除所述第二铜层在所述互连之间的所述部分包括：
7.根据前述...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种制造用于集成电路(ic)的互连系统的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，用所述第一光刻胶层处理所述基板包括：
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，沉积所述阻障层包括：
4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，使所述第一铜层和部分所述阻障层平坦化包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其中，在所述基板、所述铜阱和所述互连芯部的暴露部分上方沉积第二铜层包括：
6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，移除所述第二铜层在所述互连之间的所述部分包括：
7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，所述方法还包括：
8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，所述方法还包括：
9.一种制造用于集成电路(ic)的互连的系统，所述系统包括：
10.根据权利要求9所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：桑迪普·雷基，艾哈迈德·比亚戈威，普拉迪普·赛拉姆·皮丘马尼，
申请(专利权)人：元平台公司，
类型：发明
国别省市：
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