【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体测试，具体涉及一种tsv通孔信号完整性验证的pcm图形及其测试方法。
技术介绍
1、硅通孔tsv技术是一项高密度封装技术，是实现3d先进封装的关键技术之一，其穿过硅基板实现硅片内部垂直电互联，是目前唯一的垂直电互联技术，tsv能够将晶圆与晶圆之间垂直导通，芯片与芯片之间垂直导通，从而实现晶圆堆叠、芯片堆叠，是解决摩尔定律失效的重要方式之一，tsv可以通过垂直互联减小互联长度，减小信号延迟，降低电容/电感，实现芯片间的低功耗高速通讯，实现器件集成的小型化。
2、随着tsv问世，其核心技术如深硅刻蚀、铜电镀等技术逐步发展，tsv技术商业化发展迎来利好，但在提高了芯片性能的同时，tsv的设计及制造技术更为复杂，难度高，良率难以保证，为有效的在过程中反馈tsv制造工艺的好坏及稳定性，针对tsv的测试评价技术也在不断发展。
3、经过对现有专利检索，中国专利技术专利《一种硅通孔测试结构及其测试方法》(专利号：cn201610881295.7)中提出一种测试结构，可以有效的对单个tsv通孔进行测试评价，准确...
【技术保护点】
1.一种TSV通孔信号完整性验证的PCM图形，设置在晶圆上，其特征在于，包括偶数个TSV通孔(3)，所述TSV通孔(3)首尾通过RDL布线电气线路(2)进行多组TSV通孔(3)的电气连接形成孔链，所述孔链首尾引出为两组裸露的PAD端(1)。
2.一种测试方法，用于对权利要求1中所述的TSV通孔信号完整性验证的PCM图形进行测试，其特征在于，包括以下操作步骤：
3.如权利要求2所述测试方法，其特征在于，所述S3步骤中初步测试并评估判定该TSV内部空洞存在情况的具体操作方法包括：
4.如权利要求2所述的测试方法，其特征在于，所述S4步骤...
【技术特征摘要】
1.一种tsv通孔信号完整性验证的pcm图形，设置在晶圆上，其特征在于，包括偶数个tsv通孔(3)，所述tsv通孔(3)首尾通过rdl布线电气线路(2)进行多组tsv通孔(3)的电气连接形成孔链，所述孔链首尾引出为两组裸露的pad端(1)。
2.一种测试方法，用于对权利要求1中所述的tsv通孔信号完整性验证的pcm图形进行测试，其特征在于，包括以下操作步骤：
3.如权利要求2所述测试方法，其特征在于，所述s3步骤中初步测试并评估判定该tsv内部空洞存在情况的具体操作方法包括：
4.如权利要求2所述的测试方法，其特征在于，所述s4步骤中通过信号测试并评估判定该tsv内部空洞存在情况和漏电情况的具体操作方法包括：
5.如权利要求4所述的测试方法，其特征在于，所述s41步骤中激励信号设置为脉冲信号、正弦波信号、方波信号中的任一种...
【专利技术属性】
技术研发人员：周凡，陈鹏，姜兴奥，顾天宇，贾雪菲，
申请(专利权)人：华东光电集成器件研究所，
类型：发明
国别省市：
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