【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体集成电路设计及制造领域，特别是涉及一种热控分区腐蚀晶圆的装置及方法。
技术介绍
1、半导体制造的薄膜沉积或生长工艺所产出的晶圆往往厚度或关键性能指标难以达到非常均匀的程度。而均匀性是关乎后端元器件性能和质量一致与否的关键。已有的方法多在晶圆生长过程控制其均匀性满足一般制造的要求。但随着半导体技术的发展以及应用成本和产品一致性要求的提高，迫切需要更进一步提高晶圆均匀性的方法。
2、目前在晶圆生长后提高均匀性的技术主要是局部减薄，但它对较大的区域有效，却无法进行小区域精细的差异化腐蚀，会带来性能分布变宽，成品率低等问题。尤其在传感领域的半导体晶圆敏感材料生长的厚度、电阻等重要指标的分布差异将造成后端同一晶圆制作出的器件灵敏度，精度存在较大离散性，导致同一片晶圆的产品质量不可控，必需对晶圆均匀性提出更高的要求。
3、应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的
技术介绍
部分进行了阐述而认为上述技术方...
【技术保护点】
1.一种热控分区腐蚀晶圆的装置，其特征在于，所述装置包括隔离网筒和温控腐蚀系统；
2.根据权利要求1所述的热控分区腐蚀晶圆的装置，其特征在于：所述腐蚀液管路包含两组或两组以上，且同一组中任意两个腐蚀液管路对应的腐蚀区域不相邻，以使每组同时腐蚀的腐蚀区域之间没有共同的邻壁。
3.根据权利要求1所述的热控分区腐蚀晶圆的装置，其特征在于：所述温度探测器在所述腐蚀区域的位置低于所述加热器的位置。
4.根据权利要求1所述的热控分区腐蚀晶圆的装置，其特征在于：所述加热器的截面积小于所述腐蚀区域面积的一半，以保证腐蚀区域内腐蚀液对流。
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