使用集成聚合物纳米复合物装置的毫米波天线ESD保护制造方法及图纸

公开了使用集成聚合物纳米复合物装置的毫米波天线ESD保护。一种天线装置包括将位于衬底上的天线耦合到接地端子和信号端子两者的集成聚合物纳米复合物(PNC)装置。PNC装置可以包括位于两个电极之间的PNC材料。PNC装置可以与包括PNC装置中的每一个PNC装置的至少一个电极的衬底集成到天线装置中。一个PNC装置可以例如在天线与信号端子之间向天线或从天线传送信号。另一PNC装置可以将静电放电(ESD)脉冲传送到接地端子。天线装置可以包括集成电路(IC)管芯或耦合到集成电路(IC)管芯。IC管芯可以例如从天线与衬底相对地耦合到信号端子和接地端子。

【技术实现步骤摘要】

技术介绍

1、用于天线和输入/输出(i/o)端口的常规静电放电(esd)保护方案可以使用管芯上esd二极管来将esd电流分流到接地，但是由于高信号幅度，esd二极管可能无法保护天线或信号i/o端口。例如，通过将端子电压钳置到某个最大电压(例如，刚好高于电源电压)并将任何否则会超过电压钳位的脉冲耗散到接地来保护集成电路(ic)端子的esd二极管，将干扰具有预期超过电源电压的幅度的信号。另外，二极管是可能引起信号失真(包括例如相互调制)的非线性装置。此外，高信号频率(例如，100ghz及以上)下的天线和i/o端口对例如esd二极管的电容性负载非常敏感。虽然用于天线的esd保护解决方案可以采用电感器-电容器(lc)滤波网络以及位于耦合电容器与ic i/o端口之间的局部电压钳位装置来实施，但是与二极管一样，lc元件的寄生效应可能降低高频率性能。lc滤波器还需要额外的封装内部件或板上部件，这可能导致巨大的(例如，金钱上的以及管芯或板面积的)成本。可以通过在ic中实施耦合电容器并通过从例如硅管芯上的信号线到esd保护网络的任何分支点来消耗额外的管芯上面积。需要新的材本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种设备，包括：

2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述IC管芯包括所述第三电极或耦合到所述第三电极，并且所述IC管芯包括所述第四电极或耦合到所述第四电极。

3.根据权利要求2所述的设备，其中，所述第一电极和所述第二电极基本上共面，或者所述第三电极和所述第四电极基本上共面。

4.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第一电极和所述第二电极位于所述第二表面上。

5.根据权利要求4所述的设备，其中，所述衬底包括穿过所述衬底的第一过孔和第二过孔，所述第一电极通过所述第一过孔耦合到所述天线，并且所述第二电极通过所述第二过孔耦合到所述天线。...

【技术特征摘要】

1.一种设备，包括：

2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述ic管芯包括所述第三电极或耦合到所述第三电极，并且所述ic管芯包括所述第四电极或耦合到所述第四电极。

3.根据权利要求2所述的设备，其中，所述第一电极和所述第二电极基本上共面，或者所述第三电极和所述第四电极基本上共面。

4.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第一电极和所述第二电极位于所述第二表面上。

5.根据权利要求4所述的设备，其中，所述衬底包括穿过所述衬底的第一过孔和第二过孔，所述第一电极通过所述第一过孔耦合到所述天线，并且所述第二电极通过所述第二过孔耦合到所述天线。

6.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第一电极与所述第三电极基本上共面，或者所述第二电极与所述第四电极基本上共面。

7.根据权利要求1-6中的任何一项所述的设备，其中，所述第一电极与所述第三电极之间的所述第一pnc材料的第一厚度大于所述第二电极与所述第四电极之间的所述第二pnc材料的第二厚度。

8.根据权利要求1-6中的任何一项所述的设备，其中，邻接所述第一电极和所述第三电极的所述第一pnc材料的第一长度大于邻接所述第二电极和所述第四电极的所述第二pnc材料的第二长度。

9.根据权利要求1-6中的任何一项所述的设备，其中，所述第一pnc装置中的所述第一电极或所述第三电极的第一特征的第一半径大于所述第二pnc装置中的所述第二电极或所述第四电...

【专利技术属性】
技术研发人员：H·加斯纳，T·瓦格纳，B·魏达斯，G·塞德曼，T·Y·杨，T·卡姆嘎因，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：