【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示，尤其涉及一种驱动背板和显示面板。
技术介绍
1、随着显示技术的不断发展，人们对显示产品的分辨率、功耗和画质的要求越来越高。为了满足这些要求，目前经常采用低温多晶氧化物（low temperaturepolycrystalline oxide，ltpo）技术，来制作显示产品的驱动背板中的像素驱动电路。低温多晶硅氧化物技术结合了低温多晶硅（low temperature poly silicon，ltps）的高迁移率和氧化物半导体，如铟镓锌氧化物（indium gallium zinc oxide，igzo）的低漏电流的优势，具有高分辨率、高反应速度、高亮度、高开口率、低功耗以及支持1hz至120hz刷新率的优势。
2、然而，低温多晶氧化物驱动背板中需要制备两种薄膜晶体管（thin filmtransistor，tft）器件，膜层较多，导致工艺复杂，制备效率较低，且制作成本高。
技术实现思路
1、本申请提供一种驱动背板和显示面板，以缓解低温多晶氧化物驱动背板存在的膜...
【技术保护点】
1.一种驱动背板，其特征在于，包括显示区以及位于所述显示区一侧的非显示区，所述显示区内设置有阵列排布的多个子像素，每个所述子像素包括多晶硅晶体管、氧化物晶体管以及存储电容；所述驱动背板还包括：
2.根据权利要求1所述的驱动背板，其特征在于，所述第一扇出走线位于所述第一导电层，所述第二扇出走线位于所述第二导电层，所述第一扇出走线的长度与其横截面积的比值为第一比值，所述第二扇出走线的长度与其横截面积的比值为第二比值，所述第二比值等于所述第一比值。
3.根据权利要求2所述的驱动背板，其特征在于，所述第二扇出走线包括阻挡部以及位于所述阻挡部远离所述衬底...
【技术特征摘要】
1.一种驱动背板，其特征在于，包括显示区以及位于所述显示区一侧的非显示区，所述显示区内设置有阵列排布的多个子像素，每个所述子像素包括多晶硅晶体管、氧化物晶体管以及存储电容；所述驱动背板还包括：
2.根据权利要求1所述的驱动背板，其特征在于，所述第一扇出走线位于所述第一导电层，所述第二扇出走线位于所述第二导电层，所述第一扇出走线的长度与其横截面积的比值为第一比值，所述第二扇出走线的长度与其横截面积的比值为第二比值，所述第二比值等于所述第一比值。
3.根据权利要求2所述的驱动背板，其特征在于，所述第二扇出走线包括阻挡部以及位于所述阻挡部远离所述衬底一侧的导电部，所述导电部的厚度与所述第一扇出走线的厚度相同。
4.根据权利要求3所述的驱动背板，其特征在于，所述导电部的材料包括钼，所述阻挡部的材料包括钛，所述第一扇出走线的材料与所述导电部的材料相同。
5.根据权利要求1所述的驱动背板，其特征在于，所述第一扇出走线包括位于所述第一导电层的第一子走线以及位于所述第二导电层的第二子走线，所述第一子走线和所述第二子走线并联连接，所述第二扇出走线位于所述第三导电层。
6.根据权利要求5所述的驱动背板，其特征在于，所述第一子走线在所述衬底上的正投影与所述第二子走线在所述衬底上的正投影重叠。
7.根据权利要求1所述的驱动背板，其特征在于，所述第一扇出走线在所述衬底上的正投影与所述第二扇出走线在所述衬...
【专利技术属性】
技术研发人员：龚吉祥，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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