【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及发光半导体激光器,具体为一种含有部分渐变腔面膜的半导体激光器及其制备方法。
技术介绍
1、inp、gaas、gan等半导体材料,设计制作成多量子阱双异质结二极管后,能发射激光,波长范围能覆盖紫外到远红外波段,广泛使用于光纤通信、光盘、激光打印机、激光扫描器、激光指示器、激光显示、激光切割焊接等领域,是生产量最大的激光器。
2、半导体激光器是一种相干辐射光源,要使它能产生激光,必须具备三个基本条件,其中一个是要能形成谐振腔。一种常见的谐振腔制作方法是在腔面镀多层有折射率差的反射膜,称为分布式布拉格反射器(dbr),当光经过这些经过特殊设计厚度和折射率的薄膜的时候,可以使得各层反射回来的光干涉相长,从而得到强烈的反射光。
3、然而,现有的平面dbr中每一层高折射率的膜两侧都是折射率相对低的膜,因此容易在该高折射率层形成波导效应。如图7(a)所示,从激光器内向外射出的光束在波导层内经过多次反射和透射,将激光器发光点的光扩散到整个腔面,将点光源扩展成了面光源,其作用类似导光板,虽然被扩展的部分光相对于主光斑
...【技术保护点】
1.一种含有部分渐变腔面膜的半导体激光器,其特征在于:包括排巴结构和部分渐变前腔面膜;
2.根据权利要求1所述的含有部分渐变腔面膜的半导体激光器,其特征在于:所述排巴结构中第一陪条与第二陪条的宽相同,第一陪条的高大于巴条的高大于第二陪条的高。
3.根据权利要求1所述的含有部分渐变腔面膜的半导体激光器,其特征在于:所述排巴结构中第二陪条两侧巴条的脊型面均朝向第二陪条。
4.根据权利要求1所述的含有部分渐变腔面膜的半导体激光器,其特征在于:所述排巴结构中第一陪条和第二陪条靠近后腔面的一端均位于同一纵平面内,巴条靠近后腔面的一端均位于同一
...【技术特征摘要】
1.一种含有部分渐变腔面膜的半导体激光器,其特征在于:包括排巴结构和部分渐变前腔面膜;
2.根据权利要求1所述的含有部分渐变腔面膜的半导体激光器,其特征在于:所述排巴结构中第一陪条与第二陪条的宽相同,第一陪条的高大于巴条的高大于第二陪条的高。
3.根据权利要求1所述的含有部分渐变腔面膜的半导体激光器,其特征在于:所述排巴结构中第二陪条两侧巴条的脊型面均朝向第二陪条。
4.根据权利要求1所述的含有部分渐变腔面膜的半导体激光器,其特征在于:所述排巴结构中第一陪条和第二陪条靠近后腔面的一端均位于同一纵平面内,巴条靠近后腔面的一端均位于同一纵平面内,巴条靠近后腔面的一端比第一陪条和第二陪条靠近后腔面一端更靠近后腔面。
5.根据权利要求1所述的含有部分渐变腔面膜的半...
【专利技术属性】
技术研发人员:邓钰璟,孟令海,付建波,宗华,蒋盛翔,罗郑彪,胡晓东,
申请(专利权)人:广西飓芯科技有限责任公司,
类型:发明
国别省市:
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