一种纳米薄膜压力测量传感器制造技术

本发明专利技术属于传感器技术领域，具体涉及一种纳米薄膜压力测量传感器。包括由上自下设置的输出座、连接罩、芯体总成、芯体安装座及引压底座，输出座和连接罩连接，连接罩内部为空腔结构，连接罩内部的空腔结构设有芯体总成，连接罩的下部和芯体安装座连接，芯体安装座及引压底座连接。本发明专利技术的有益效果在于：可应用于高精度变送器的设计与制造，有效规避了法兰夹持式取压结构对传感器芯体的外部应力和损伤影响，提高了传感器芯体的稳定性和可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于传感器，具体涉及一种纳米薄膜压力测量传感器。

技术介绍

1、现有的核电站需要大量压力传感器或变送器对系统压力、液位、流量等物理量进行测量与控制。当前大部分核电站用变送器的使用基本上还停留在传统物性型变送器阶段。目前使用的电容式变送器存在体积大、需要充硅油等问题；取压结构采用螺栓夹持式，从而导致安装不方便、法兰应力无法有效消除。变送器长期使用后灵敏度低、响应时间慢等问题，无法有效满足核电对变送器长期稳定性和可靠性的技术要求。

技术实现思路

1、本专利技术的目的是提供一种纳米薄膜压力测量传感器，通过取压管和排气管支撑把传感器芯体架空起来，在保护壳体内形成一个悬浮状态，可有效地减少芯体与外界的接触受压面积，消除法兰和螺栓的应力影响，解决电容式变送器传感器芯体受取压法兰夹持造成的应力大的缺点，提高传感器测量的重复性和准确性。

2、本专利技术的技术方案如下：一种纳米薄膜压力测量传感器，包括由上自下设置的输出座、连接罩、芯体总成、芯体安装座及引压底座，输出座和连接罩连接，连接罩内部为空腔结构，连本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种纳米薄膜压力测量传感器，其特征在于：包括由上自下设置的输出座、连接罩、芯体总成、芯体安装座及引压底座，输出座和连接罩连接，连接罩内部为空腔结构，连接罩内部的空腔结构设有芯体总成，连接罩的下部和芯体安装座连接，芯体安装座及引压底座连接；所述的芯体总成的上部连接有两根排气管，排气管的另一端与连接罩固定，芯体总成的下部连接有两根取压管，所述的两根取压管用于引入待测介质，芯体总成设有低压腔和高压腔，两根取压管其中一根的一端与低压腔固定，两根取压管其中另一根的一端与和高压腔固定，所述的芯体总成包括桥臂芯体总成、玻璃烧结连接环、低压腔焊接组件和高压侧保护块，其中，玻璃烧结连接环两侧分别与桥臂...

【技术特征摘要】

1.一种纳米薄膜压力测量传感器，其特征在于：包括由上自下设置的输出座、连接罩、芯体总成、芯体安装座及引压底座，输出座和连接罩连接，连接罩内部为空腔结构，连接罩内部的空腔结构设有芯体总成，连接罩的下部和芯体安装座连接，芯体安装座及引压底座连接；所述的芯体总成的上部连接有两根排气管，排气管的另一端与连接罩固定，芯体总成的下部连接有两根取压管，所述的两根取压管用于引入待测介质，芯体总成设有低压腔和高压腔，两根取压管其中一根的一端与低压腔固定，两根取压管其中另一根的一端与和高压腔固定，所述的芯体总成包括桥臂芯体总成、玻璃烧结连接环、低压腔焊接组件和高压侧保护块，其中，玻璃烧结连接环两侧分别与桥臂芯体总成和低压腔焊接组件连接，桥臂芯体总成内部为空腔结构，桥臂芯体总成的端面连接有高压侧封盖，桥臂芯体总成内部靠近玻璃烧结连接环的一侧设置有高压侧保护块，玻璃烧结连接环；测量膜片连接到高压腔膜片端面形成桥臂芯体总成，并与玻璃烧结连接环烧结在一起，桥臂芯体总成通过取压管下端和排气管...

【专利技术属性】
技术研发人员：王玉贵，蒲史鸣，唐运军，张福海，雷卫武，昌正科，廖牡丹，徐冬苓，林宇，
申请(专利权)人：核电运行研究上海有限公司，
类型：发明
国别省市：