【技术实现步骤摘要】
本申请属于开关电源电路领域，尤其涉及一种浪涌抑制电路及电子设备。
技术介绍
1、通常开关电源为实现电磁兼容，一般在输入端均会放置较大的滤波电容。然而，由于电容容量较大，所以上电速率越快，则会在上电瞬间形成很大的浪涌电流，会导致一系列故障发生，比如保险丝熔断、控制失效和系统无法正常上电工作等问题，因此需要对输入端的浪涌电流进行抑制。
2、相关技术中通过在输入端串联p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field effetct transistor，mosfet)，利用mosfet的开关特性对浪涌电流进行抑制。
3、但是，串联的p沟道mosfet器件只能通过电源开启，与其他系统或器件同时启动，这样容易造成电源电压不稳定，进而造成系统异常。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种浪涌抑制电路及电子设备，能够实现精确地延迟浪涌抑制子电路的启动时间，避免由于多个器件同时启动造成的电源电压不稳定的状态。
2、第一方...
【技术保护点】
1.一种浪涌抑制电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的浪涌抑制电路，其特征在于，所述延迟子电路包括：
3.根据权利要求1或2所述的浪涌抑制电路，其特征在于，所述浪涌抑制电路还包括：
4.根据权利要求3所述的浪涌抑制电路，其特征在于，所述防反接模块包括：
5.根据权利要求4所述的浪涌抑制电路，其特征在于，所述防反接模块还包括：
6.根据权利要求3所述的浪涌抑制电路，其特征在于，所述防反接模块包括：
7.根据权利要求1或2所述的浪涌抑制电路，其特征在于，所述浪涌抑制子电路包括：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。