用以负载供电上的电源电路制造技术

技术编号:43091619 阅读:24 留言:0更新日期:2024-10-26 09:38
本发明专利技术公开了一种电源电路,其特征在于,包括一供电回路及一电压回转率提升电路。供电回路透过一供电节点连接一负载,且提供一供电电流至负载,以供应负载运作所需的能量。当供电回路供电至负载时,在供电节点上将产生有一输出电压。电压回转率提升电路用以侦测供电节点上的输出电压的电压变化。当电压回转率提升电路侦测出输出电压的电压准位往下掉落,将控制供电回路输出更多的供电电流,以便输出电压的电压准位可以加速地恢复到原本预设的电压准位或接近于原本预设的电压准位,以提升电压的回转率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电源电路的,尤指一种可提升负载供电的稳定性的电源电路。


技术介绍

1、在驱动集成电路或单芯片集成电路中,通常会内建一电源电路,用以将输入电源(vdd)降压或分压成一个或多个提供给负载使用的供电电源(n>=1)。这些分压或降压形成的供电电源提供给静态的负载的使用时可能会没有问题;然而,遇到负载突然需要较大的电源能量时,将会瞬间抽取大电流,造成供电电源的电压准位往下掉落。

2、为侦测供电电源的电压准位是否往下掉落,以往电源电路中可以设置一用以侦测供电电源的电压准位的回授电路。当电源电路透过回授电路侦测到供电电源的电压准位往下掉落,将调整供电电源的电压准位,以使供电电源的电压准位恢复至原本预设的电压准位。然而,以往电源电路的电路设计,供电电源的电压准位往下掉落后,常需要较长的时间才能恢复至预设的电压准位,将导致负载运作的不稳定。

3、有鉴于此,如何设计出一在负载瞬间抽取大电流后可以将往下掉落的供电电源的电压准位快速地恢复至预设的电压准位的电源电路,其将会是一电源供电领域中要突破的课题。

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技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电源电路,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的电源电路,其特征在于,该迟滞电路以一反相器作为实施且包括一PMOS晶体管及一NMOS晶体管,该PMOS晶体管为一长通道型的PMOS晶体管,该反相器接收一电压准位往下掉的该第二控制电压时,该PMOS晶体管迟滞对该电压准位往下掉的第二控制电压的反应,以延后该PMOS晶体管的导通时间而迟滞该驱动电压的转态。

3.如权利要求1所述的电源电路,其特征在于,该迟滞电路以一反相器作为实施且包括一PMOS晶体管及一NMOS晶体管,该NMOS晶体管为一长通道型的NMOS晶体管,该反相器接收一电压准位往上升的该第二控制电压时...

【技术特征摘要】

1.一种电源电路,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的电源电路,其特征在于,该迟滞电路以一反相器作为实施且包括一pmos晶体管及一nmos晶体管,该pmos晶体管为一长通道型的pmos晶体管,该反相器接收一电压准位往下掉的该第二控制电压时,该pmos晶体管迟滞对该电压准位往下掉的第二控制电压的反应,以延后该pmos晶体管的导通时间而迟滞该驱动电压的转态。

3.如权利要求1所述的电源电路,其特征在于,该迟滞电路以一反相器作为实施且包括一pmos晶体管及一nmos晶体管,该nmos晶体管为一长通道型的nmos晶体管,该反相器接收一电压准位往上升的该第二控制电压时,该nmos晶体管迟滞对该电压准位往上升的第二控制电压的反应,以延后该nmos晶体管的导通时间而迟滞该驱动电压的转态。

4.如权利要求1所述的电源电路,其特征在于,该迟滞电路以一史密特触发器作为实施,该史密特触发器具有一第一阀值电压及一第二阀值电压,该第一阀值电压大于第二阀值电压,该史密特触发器接收一电压准位往上升的该第二控制电压时,该第二控制电压的电压准位需上升超过该第一阀值电压,该驱动电压才会转态;或者,该史密特触发器接收一电压准位往上降的该第二控制电压时,该第二控制电压的电压准位需下降低于该第二阀值电压,该驱动电压才会转态。

5.如权利要求1所述的电源电路,其特征在于,该迟滞电路以一电压比较器作为实施,该电压比较器接收一参考电压及该第二控制电压,该参考电压作为一该驱动电压转态的阀值,当该电压比较器接收一电压准位往上升的该第二控制电压时,该第二控制电压的电压准位需上升超过该参考电压,该驱动电压才会转态;或者,当该电压比较器接收一电压准位往上降的该第二控制电压时,该第二控制电压的电压准位需下降低于该参考电压,该驱动电压才会转态。

6.一种电源电路,其特征在于,包括:

7.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员:廖冠超谢沛杉万波
申请(专利权)人:南宁初芯集成电路设计有限公司
类型:发明
国别省市:

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