【技术实现步骤摘要】
本技术涉及切割设备，尤其涉及一种精度高的半导体晶圆切割设备。
技术介绍
1、晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。国内晶圆生产线以8英寸和12英寸为主，在晶圆的生产过程中往往需要将原材料进行切割，使其成为一个个适用的半导体晶。而常见的切割方法有机械切割法、激光切割法和耦合切割法等，而随着科技的进步，对精度要求越来越高，激光切割是常用的切割方式。
2、而现有的切割设备在使用时，其流程一般都是将所需切割的晶圆方式在托持部件上，使其移动至切割装置下方，在完成切割后，对其进行取料，再上料，在下料上料过程中，则存在一定时间的切割空档，并不能进行无缝连接的循环切割，进而降低了装置后期的工作效率。
3、因此，有必要提供一种新的精度高的半导体晶圆切割设备解决上述技术问题。
技术实现思路
1、为解决上述技术问题，本技术提供一种精度高的半导体晶
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1.一种精度高的半导体晶圆切割设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的精度高的半导体晶圆切割设备，其特征在于，所述气缸(4)的顶部设有固定连接的支撑片(41)，所述支撑片(41)顶部的中心设有固定连接的支撑柱(43)，所述支撑片(41)顶部设有若干固定连接的顶片(42)，且所述顶片(42)的外壁为倾斜的坡面。
3.根据权利要求1所述的精度高的半导体晶圆切割设备，其特征在于，所述转盘(31)内部与放置盘(6)相对部位的外侧开设有若干均匀分布的滑槽(312)，所述滑槽(312)的内部插设有滑动连接的滑杆(51)，所述滑杆(51)的顶部设有...
【技术特征摘要】
1.一种精度高的半导体晶圆切割设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的精度高的半导体晶圆切割设备，其特征在于，所述气缸(4)的顶部设有固定连接的支撑片(41)，所述支撑片(41)顶部的中心设有固定连接的支撑柱(43)，所述支撑片(41)顶部设有若干固定连接的顶片(42)，且所述顶片(42)的外壁为倾斜的坡面。
3.根据权利要求1所述的精度高的半导体晶圆切割设备，其特征在于，所述转盘(31)内部与放置盘(6)相对部位的外侧开设有若干均匀分布的滑槽(312)，所述滑槽(312)的内部插设有滑动连接的滑杆(51)，所述滑杆(51)的顶部设有固定连接的限位片(5)，所述滑杆(51)的底端设有固定连接的挤压片(54)，且所述挤压片(54)的外壁为倾斜的坡面。
4.根据权利要求3所述的精度高的半导体晶圆切割设备，其特征在于，所述挤压片(54)的外壁设有固定连接的弹簧(52)，所述弹簧(52)远离挤压片(54)的一端设有固定连接的挡片(53)，且所述挡片(53)的顶端与转盘(31)的底部固定连接。<...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈实，胡旺安，张峰峰，程浩，
申请(专利权)人：深圳市宸悦存储电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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