带Bypass旁路功能的射频低噪声放大器芯片制造技术

本申请涉及射频低噪声放大技术领域，揭示了一种带Bypass旁路功能的射频低噪声放大器芯片包括：共源共栅低噪声放大结构、有源偏置电路、偏置关断/开启控制电路、Bypass旁路电路，射频低噪声放大器芯片采用共源共栅结构，实现低噪声系数和高线性度性能；Bypass旁路采用基于开关管的串并式通路结构提供低插入损耗和高隔离度性能，同时射频低噪声放大器芯片通路上的开关管防止Bypass旁路工作模式下的大功率射频信号泄漏进射频低噪声放大器芯片放大管而恶化Bypass旁路工作模式的线性度，Bypass旁路功能的射频低噪声放大器芯片实现了系统小型化和系统性能提升。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及射频低噪声放大，尤其涉及一种带bypass旁路功能的射频低噪声放大器芯片。

技术介绍

1、带bypass旁路功能的射频低噪声放大器主要功能是为低噪声放大器提供bypass旁路功能。当射频输入信号功率较低时，低噪声放大器正常工作而bypass旁路功能不工作，低噪声放大器对射频输入信号进行低噪声放大；当射频输入信号功率较高时，bypass旁路功能正常工作而低噪声放大器不工作，防止高功率输入信号使低噪声放大器进入非线性区或损坏，或对高功率输入信号进行衰减以保护后级电路。带bypass旁路功能的射频低噪声放大器是一种重要的功能电路，可应用于在通信、雷达等电子设备中，其性能对系统有巨大影响。

2、传统的带bypass旁路功能的射频低噪声放大器通常由射频开关、低噪声放大器、固定衰减器和控制电路等分立元件搭建而成，具有电路模块面积大、控制复杂、受连接线寄生影响大等缺点。

技术实现思路

1、基于此，有必要针对现有技术的带bypass旁路功能的射频低噪声放大器芯片的性能较差的技术问题，提出了一种带by本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种带Bypass旁路功能的射频低噪声放大器芯片，其特征在于，所述带Bypass旁路功能的射频低噪声放大器芯片包括：共源共栅低噪声放大结构、有源偏置电路、偏置关断/开启控制电路、Bypass旁路电路；

2.一种带Bypass旁路功能的射频低噪声放大器芯片，其特征在于，所述带Bypass旁路功能的射频低噪声放大器芯片包括：共源共栅低噪声放大结构、有源偏置电路、偏置关断/开启控制电路、Bypass旁路电路；

3.一种带Bypass旁路功能的射频低噪声放大器芯片，其特征在于，所述带Bypass旁路功能的射频低噪声放大器芯片包括：共源共栅低噪声放大结构、有源偏置电路、...

【技术特征摘要】

1.一种带bypass旁路功能的射频低噪声放大器芯片，其特征在于，所述带bypass旁路功能的射频低噪声放大器芯片包括：共源共栅低噪声放大结构、有源偏置电路、偏置关断/开启控制电路、bypass旁路电路；

2.一种带bypass旁路功能的射频低噪声放大器芯片，其特征在于，所述带bypass旁路功能的射频低噪...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴奕蓬，肖宝玉，陈仲谋，闫佳欣，张博，张健鑫，
申请(专利权)人：博瑞集信西安电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：