【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及半导体，特别涉及一种反熔丝电路及存储器。
技术介绍
1、反熔丝电路通过反熔丝存储单元阵列实现，反熔丝存储单元的栅氧介质在施加高压后会发生击穿，击穿后通路的阻抗减小，通过检测反熔丝存储单元的电阻状态可以读出反熔丝存储单元中所存储的数据。
2、每一反熔丝存储单元电连接至位线，位线连接读取模块，在读取数据阶段，对位线进行预充电，读取模块经由位线读取反熔丝存储单元中存储的数据，若反熔丝存储单元被编程，使得反熔丝存储单元的栅氧介质在施加高压之后被击穿，读取模块通过比较位线的电位变化，输出与反熔丝存储单元存储的数据对应的预设逻辑电平，读出数据。
3、目前，在读出反熔丝电路中其中一个反熔丝存储单元的存储数据过程中，可能会在其它反熔丝存储单元中发生漏电的问题，从而可能导致读出的反熔丝存储单元的数据不准的问题。
技术实现思路
1、本公开实施例提供一种反熔丝电路及存储器，至少有利于减小反熔丝电路的漏电。
2、本公开实施例提供一种反熔丝电路，阵列排布的多个反熔...
【技术保护点】
1.一种反熔丝电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的反熔丝电路，其特征在于，还包括：第二开关管，所述第二开关管的第一端与同一列所述反熔丝存储单元中的每一个所述第一开关管的第二端电连接，第二端连接于所述位线，所述第二开关管的控制端响应于所述读取信号或者编程信号导通。
3.根据权利要求2所述的反熔丝电路，其特征在于，同一列所述反熔丝存储单元包括：相邻的两个所述反熔丝存储单元，其中，一所述反熔丝存储单元的所述第一开关管的第二端与另一所述反熔丝存储单元的所述第一开关管的第二端电连接。
4.根据权利要求1所述的反熔丝电路，其特征在...
【技术特征摘要】
1.一种反熔丝电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的反熔丝电路，其特征在于，还包括：第二开关管，所述第二开关管的第一端与同一列所述反熔丝存储单元中的每一个所述第一开关管的第二端电连接，第二端连接于所述位线，所述第二开关管的控制端响应于所述读取信号或者编程信号导通。
3.根据权利要求2所述的反熔丝电路，其特征在于，同一列所述反熔丝存储单元包括：相邻的两个所述反熔丝存储单元，其中，一所述反熔丝存储单元的所述第一开关管的第二端与另一所述反熔丝存储单元的所述第一开关管的第二端电连接。
4.根据权利要求1所述的反熔丝电路，其特征在于，所述预充电模块包括多个预充电单元，同一行所述反熔丝存储单元中的每一个所述反熔丝单元电连接于同一个所述预充电单元，同一列所述反熔丝存储单元中的每一个所述反熔丝单元电连接于不同所述预充电单元。
5.根据权利要求4所述的反熔丝电路，其特征在于，所述预充电单元包括第三开关管，所述第三开关管的第一端电连接于电源电压，所述第三开关管的第二端与所述反熔丝单元的栅极电连接，所述第三开关管的控制端接收预充电信号，被配置为，在预充电信号有效时导通第三开关管以使所述反熔丝单元的栅极接收电源电压。
6.根据权利要求1所述的反熔丝电路，其特征在于，还包括：补偿模块，所述补偿模块的第一端电连接于电源电压，所述补偿模块的输出端与所述反熔丝单元的栅极电连接，用于...
【专利技术属性】
技术研发人员：温翔圣，严允柱，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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